Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici
Wafer epitaxial GaN di qualità dalla Cina.
La Commissione ha adottato una decisione di esecuzione relativa alla conclusione di un accordo di cooperazione tra la Repubblica di Moldova e la Repubblica di Moldova (GU L 342 del 20.11.2013, pag.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. produttore di qualità della Cina.
Possiamo fornire:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC epitaxial wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Benvenuti al nostro sito ufficiale: http://www.epi-wafers.com
La Commissione ha adottato una decisione di esecuzione relativa alla conclusione di un accordo di cooperazione tra la Repubblica di Moldova e la Repubblica di Moldova (GU L 342 del 20.11.2013, pag.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. produttore di qualità della Cina.
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GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC epitaxial wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
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GaN Epitaxial Wafer
Wafer a semiconduttore del nitruro di gallio
Substrati di GaN in posizione libera
Wafer epitaxiale GaN a LED blu
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GaN 2 pollici di nitruro di gallio monocristallino
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Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici
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il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
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10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer
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