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Casa Prodottigallium nitride semiconductor wafer produttore online

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GaN Epitaxial Wafer
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Wafer sic epitassiale
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GaAs Epi Wafer
(15)

Substrati diamantati CVD
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Sistema di ricottura termica rapida
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gallium nitride semiconductor wafer produzione online

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isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm
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2022-10-08 17:22:16

Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio
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2024-10-29 11:49:57

Wafer a semiconduttore al nitruro di gallio a cristallo singolo TTV 10um
Contatto

2024-10-29 11:49:57

Wafer di nitruro di gallio a cristallo singolo GaN tipo SI
Contatto

2022-10-08 15:51:24

Wafer Gan Epi monocristallo Nitruro di Gallio 4 pollici
Contatto

2024-12-06 17:44:01

Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore
Contatto

2022-10-09 10:30:43

Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate
Contatto

2024-10-29 11:49:58

375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati
Contatto

2024-11-18 19:17:19

2 pollici di GaN sul silicio verde LED Epi wafer Gallio nitruro sul silicio
Contatto

2024-12-06 17:35:32

4 pollici di uGaN sul nitruro di gallio di silicio non dopato sul Wafer Epitaxial di silicio
Contatto

2024-12-06 17:33:43

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GaN Epitaxial Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo