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free standing gan substrates produzione online

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comprare Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati in linea fabbricante

Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati
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2023-02-17 10:52:50
comprare 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN in posizione libera - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm in linea fabbricante

10 X 10,5 mm2 Substrati GaN in posizione libera - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
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2025-04-27 11:43:50
comprare Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti in linea fabbricante

Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti
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2025-04-04 22:43:28
comprare Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates in linea fabbricante

Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates
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2023-02-17 10:57:06
comprare Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici in linea fabbricante

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici
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2024-10-14 17:06:30
comprare M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um in linea fabbricante

M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um
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2022-10-08 17:04:46
comprare 10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato in linea fabbricante

10 X 10,5 mm2 C faccia non dopata N tipo libero in piedi GaN monocristallo substrato
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2025-04-27 11:43:50
comprare TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W in linea fabbricante

TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W
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2025-04-27 11:43:51
comprare Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face in linea fabbricante

Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face
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2025-04-27 11:43:51
comprare 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm in linea fabbricante

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm
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2025-04-27 11:43:51
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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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