 |
Wafer epitassiale GaN non drogato M Face Free Standing GaN Substrati2023-02-17 10:52:50 |
|
|
Un fronte GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates2023-02-17 10:57:06 |
|
|
Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici2024-10-14 17:06:30 |
|
|
M. Face GaN Epitaxial Wafer Free Standing GaN Substrates 325um TTV 10um2022-10-08 17:04:46 |
|
|
Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um2022-10-08 17:12:14 |
|
|
Spessore 350 ±25 µm 10 X 10,5 mm2 Substrati GaN autoportanti2022-10-25 15:05:18 |
|
|
Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf2024-10-29 11:49:57 |
|
|
SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm2024-10-14 17:06:30 |
|
|
Substrati N GaN autoportanti Rugosità superficiale faccia N da 0,5um a 1,5um2022-10-08 17:14:45 |
