|
Dettagli:
|
| Evidenziare: | GaN Nitruro di gallio Substrato monocristallino,2 pollici di nitruro di gallio |
||
|---|---|---|---|
Sottostrato di GaN indipendente non dopato
1, Visualizzazione del substrato a cristallo singolo di nitruro di gallio(Substrato di GaN)
Il substrato monocristallino di nitruro di gallio (substrato GaN) è un componente importante richiesto nel processo di preparazione dei cristalli di nitruro di gallio (GaN),ed è il substrato su cui crescono i cristalli di nitruro di gallioI cristalli di nitruro di gallio (GaN) hanno una vasta gamma di scenari di applicazione, tra cui LED, dispositivi elettronici ad alta velocità e dispositivi elettronici di potenza.La qualità del substrato monocristallino di nitruro di gallio ((substrato GaN) ha un impatto cruciale sulle prestazioni e sul rendimento del cristallo.
2Specificativi del prodotto
| Sottostrati U-GaN/SI-GaN a 2 pollici | |||||||
 |
Livello eccellente (S) |
Livello di produzione ((A) |
Ricerca livello B |
Cazzo. livello (C) |
Nota: (1) Superficie utilizzabile: esclusi i difetti di bordo e di macro (2) 3 punti: gli angoli di scorrimento delle posizioni (2, 4, 5) sono 0,35 ± 0.15o |
||
| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| Dimensioni | 50.8 ± 1 mm | ||||||
| Spessore | 350 ± 25 μm | ||||||
| Piano di orientamento | (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm | ||||||
| Piano di orientamento secondario | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm | ||||||
| Resistenza (300K) |
< 0,5 Ω·cm per il tipo N (non dopato; GaN-FS-C-U-C50) o > 1 x 106Ω·cm per il semisolatore (dopato con Fe; GaN-FS-C-SI-C50) |
||||||
| TTV | ≤ 15 μm |
||||||
| BIO | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
| Ga rugosità della superficie |
< 0,2 nm (polito) o < 0,3 nm (polito e trattamento superficiale per epitaxia) |
||||||
| N rugosità della superficie |
0.5 ~ 1,5 μm Opzione: 1~3 nm (fine); < 0,2 nm (polito) |
||||||
| Pacco | Confezionato in una stanza pulita in un contenitore singolo di wafer | ||||||
| Superficie utile | > 90% | > 80% | > 70% | ||||
| Densità di dislocazione | < 9,9x105cm-2 | 3x106cm-2 | < 9,9x105cm-2 | 3x106cm-2 | 3x106cm-2 | ||
| Orientazione: piano C (0001) fuori angolo verso l'asse M |
0.35 ± 0.15o (3 punti) |
0.35 ± 0.15o (3 punti) |
0.35 ± 0.15o (3 punti) |
||||
| Densità di difetto macro (buco) | 0 cm-2 | < 0,3 cm-2 | < 1 cm-2 | ||||
| Dimensione massima dei difetti macro | |
< 700 μm | < 2000 μm | < 4000 μm | |||
Su di noi
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e componenti di vetro ottico personalizzati ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università nazionali ed estere, istituti di ricerca e imprese, forniscono prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di R & S.È la nostra visione di mantenere un buon rapporto di cooperazione con tutti i nostri clienti dalla nostra buona reputazione.
Domande frequenti
D: Lei è una società commerciale o un produttore?
Siamo una fabbrica.
D: Quanto tempo avete per consegnare?
Generalmente sono 3-5 giorni se le merci sono in magazzino.
o 7-10 giorni se le merci non sono in magazzino, dipende dalla quantità.
D: Fornisci dei campioni? Sono gratuiti o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente, ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i vostri termini di pagamento?
Pagamento <= 5000USD, 100% in anticipo.
Pagatori >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.
Trasportatore
Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)
Telefono: +8613372109561
