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GaN Epitaxial Wafer

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Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Dimensioni:± 50,8 1 millimetro

Nome di prodotto:GaN Substrates indipendente

Spessore:350 ±25µm
Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Dimensioni:± 50,8 1 millimetro

Spessore:350 ±25µm

Arco:- ≤ 10µm dell'ARCO del ≤ di 10µm
Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Dimensioni:± 50,8 1 millimetro

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio

Nome di prodotto:Substrato di monocristallo di GaN

Dimensioni:± 50,8 1 millimetro

Spessore:350 ±25µm
375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di U-GaN/SI-GaN

Dimensioni:50,8 ± 1mm

Spessore:350 ± 25μm
SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di U-GaN/SI-GaN

Dimensioni:50,8 ± 1mm

Spessore:350 ± 25μm
La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di U-GaN/SI-GaN

Dimensioni:50,8 ± 1mm

Spessore:350 ± 25μm
isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di U-GaN/SI-GaN

Rugosità di superficie del fronte di GA:< 0="">

Piano di orientamento:± 0.5˚, 16 ± 1mm (di 1-100)
Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um

Nome di prodotto:substrati indipendenti a 2 pollici di U-GaN/SI-GaN

Dimensioni:50,8 ± 1mm

Spessore:350 ± 25μm
SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um

Nome di prodotto:GaN Substrates indipendente

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato

Nome di prodotto:GaN Single Crystal Substrate indipendente

Spessore:350 ±25µm

TTV:≤ 10µm
Wafer di nitruro di gallio a cristallo singolo GaN tipo SI

Dimensioni:² di 10mm x di 5

Nome di prodotto:GaN Substrates indipendente

Spessore:350 ±25µm

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Substrato di monocristallo di GaN

Wafer epitassiale GaN non drogato

Fronte GaN Substrate di C

La CINA GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio

375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati

SI a 2 pollici GaN Substrates di U GaN Substrates 50.8mm

La singola ONU del fronte di Crystal GaN Epitaxial Wafer 2inch C ha verniciato il tipo di N

isolato a 2 pollici del wafer a semiconduttore del nitruro di gallio di 50.8mm

Isolato U/SI GaN Epitaxial Wafer 50,8 millimetri 350 um

SP Face 5 X 10mm2 substrato di nitruro di gallio 350um

Wafer epitassiale GaN 5x10mm2 Tipo SI non drogato

Wafer di nitruro di gallio a cristallo singolo GaN tipo SI

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo