375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati
Wafer epitaxial GaN di qualità dalla Cina.
Il prodotto non deve essere destinato ad essere utilizzato per la fabbricazione o la vendita di materie prime o di prodotti per la fabbricazione di materie prime.
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. produttore di qualità della Cina.
Possiamo fornire:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC epitaxial wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Benvenuti al nostro sito ufficiale: http://www.epi-wafers.com
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GaN Epitaxial Wafer
Wafer a semiconduttore del nitruro di gallio
Substrati di GaN in posizione libera
Wafer epitaxiale GaN a LED blu
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Resistività SSP con wafer in zaffiro GaN drogato UID tipo N da 4 pollici > 0,5 Ω cm LED, laser, wafer epitassiale PIN
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4 pollici blu LED GaN epitassiale wafer C piano zaffiro piatto
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spessore 325um 375um del wafer epitassiale di GaN del fronte di 5 x 10 mm2 m.
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375 um GaN Wafer epitassiale Autoportante U-GaN SI-GaN Substrati
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10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer
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