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ga2o3 single crystal substrate produzione online

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Acquistare Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate in linea produttore

Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2 in linea produttore

Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leggi di più
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Acquistare 10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante in linea produttore

10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante
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JDCD04-001-005 10x15mm2(-201)UID-Doped Free-Standing Ga2O3 Single Crystal Substrate Product Grade Single Polishing 10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single ... Leggi di più
2022-09-27 16:57:32
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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