La CINA lastra di silicio

0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito

Metodo di crescita:La CZ

Diametro:2"

Grado:Principale
2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb

Spessore (μm):279

Tolleranza di spessore:± standard 25μm, ± massimo 5μm di capacità
4" 5" 6" tipo del wafer P di si/tipo del boro N/come il tipo/Sb di N

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5" orientamento <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Dispositivi a semiconduttore Wafer di substrato di silicio a 2 pollici 8'' 12''

Diametro:2"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Tipo tipo di N dello Sb N come a 8 pollici a 6 pollici della lastra di silicio

Metodo di crescita:La CZ

Orientamento:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Tipo/dopant:Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb
Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ

Orientamento:<1-0-0><1-1-1>,<1-1-0>

Spessore (μm):279

Tolleranza di spessore:± standard 25μm, ± massimo 5μm di capacità
Tipo a 12 pollici tipo Phos della lastra di silicio P del boro N

Diametro:12"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ
Wafer a 8 pollici P/P P/E finito di superficie E/PER ESEMPIO /G del silicio

Diametro:8"

Grado:Principale

Metodo di crescita:La CZ

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lastra di silicio

La CINA lastra di silicio

0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro

Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito

2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio

Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um

Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um

4" 5" 6" tipo del wafer P di si/tipo del boro N/come il tipo/Sb di N

Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5" orientamento <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

Dispositivi a semiconduttore Wafer di substrato di silicio a 2 pollici 8'' 12''

Tipo tipo di N dello Sb N come a 8 pollici a 6 pollici della lastra di silicio

Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ

Tipo a 12 pollici tipo Phos della lastra di silicio P del boro N

Wafer a 8 pollici P/P P/E finito di superficie E/PER ESEMPIO /G del silicio

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo