La CINA Wafer Ga2O3

Wafer singolo Crystal Substrate Thickness di FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm - 0.8mm

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:(010)
Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm

Ra:≤0.5nm

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate
wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm

Orientamento:（010）(201)

Dimensioni:10*10mm; 10*15mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate
Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:（010）(201)
10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:（010）(201)
Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Spessore:0.6~0.8mm

Orientamento:(201)
Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:(201)
Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante

FWHM:<350arcsec>

Superficie lucidata:Singolo lato lucidato

Spessore:0.6~0.8mm
Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Spessore:0.6~0.8mm

Superficie lucidata:Singolo lato lucidato
0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:(201)

Superficie lucidata:Singolo lato lucidato
JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:(101)
JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:(201)

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Wafer Ga2O3

La CINA Wafer Ga2O3

Wafer singolo Crystal Substrate Thickness di FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm - 0.8mm

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm

wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm

Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante

Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici

Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2

Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante

Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo