La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Mappa del sito

GaN Epitaxial Wafer

• il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
• Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf
• Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici
• Aereo del wafer 325um 375um C a semiconduttore del nitruro di gallio

Wafer sic epitassiale

• Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um
• Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
• Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um
• Tipo substrato d'isolamento 150mm di SI di livello P dei semi di 6inch 4H sic

GaAs Epi Wafer

• 2inch GaAs Epi Wafer GaAs Substrati non drogati VGF
• S-C-N Conduce substrati GaAs non drogati da 2 pollici ad alta mobilità elettronica
• wafer Undoped 0.4E18 di GaAs Epi dei substrati di 2inch GaAs a 1E18
• Dopant Undoped di si dei substrati 2inch GaAs di VGF GaAs

Substrati diamantati CVD

• Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5
• Diamante a cristallo singolo di grado elettronico XRD
• 3 tenore di N di CVD Diamond Substrates di X 3mm2 < 100ppb per il dissipatore di calore
• Contenuto N

Sistema di ricottura termica rapida

• Sistema di ricottura RTP-SA-8
• sistema di tempera termico rapido di 150mm con tre gas trattati degli insiemi

Tester per sensori ad effetto Hall

• Misura di resistività di mobilità del tester di Hall Coefficient Hall Effect Sensor
• Industria di Hall Effect Sensor Tester Semiconductor di concentrazione in trasportatore
• Misura di concentrazione di Hall Effect Sensor Tester Carrier dei materiali a semiconduttore

Wafer del nitruro di alluminio

• 1'' AlN Nitruro Di Alluminio Wafer 400um S / P / R Lucidatura Chimica Grado
• monocristallo 400um 2H Crystal Form di 25.4mm 1inch AlN
• 1inch AlN singolo Crystal Aluminum Nitride Wafer 450um
• Piano C AIN su wafer in zaffiro lucidato a lato singolo o doppio

Chip del diodo laser

• Efficienza 1.0W/A del pendio di stampa laser del chip del diodo laser della corrente di soglia 0.5A
• Chip laser a diodi COS 915nm 10W su design sottomontaggio
• pacchetto di Chip Printing Surface Mount Standard del diodo laser 915nm
• Dimensioni emettitore 94um Chip laser a diodi su progetto sottomontaggio Corrente di soglia 0,5 A

Cristallo del carburo di silicio

• Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P
• 4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P
• Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N
• cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P

Wafer Ga2O3

• Wafer singolo Crystal Substrate Thickness di FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm - 0.8mm
• Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm
• wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm
• Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

lastra di silicio

• 0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro
• Substrati discreti P/P P/E E/PER ESEMPIO di superficie di si dei dispositivi di /G finito
• 2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio
• Substrato primario di wafer epitassiale di silicio microelettronico 279um

Sapphire Wafer

• lo specchio di 50mm Sapphire Wafer R9 ha lucidato il tipo pronto del bordo R del wafer di EPI
• Thk 430um Sapphire Substrate Crystal Orientation C/M0.2
• A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
• Elevata purezza Al2O3 50mm zaffiro substrato wafer spessore 430μm

Sapphire Substrates modellata

• Superficie frontale dei substrati in zaffiro modellato ad angolo piatto da 16 mm
• Sapphire Crystal Wafer modellata 2inch Sapphire Substrate
• Substrati in zaffiro modellato da 50,80 mm 430um A Plane
• Back Laser Making Patterned PSS Sapphire Substrato TTV 5um

Supporto del wafer del

• Supporto per wafer in da 6 pollici per la pulizia di cestini e manici per fiori

Tagliatrice a cubetti per wafer

• 0.1mm/s all'ascissa di taglio a cubetti della macchina del wafer 600mm/s che taglia gamma 260mm
• Macchina per tagliare a cubetti in wafer di silicio Sega a cubetti automatica da 260 mm
• Tagliatrice automatica per wafer da 8 pollici 250 mm × 250 mm 300 mm
• Intervallo di taglio 260mm 260mm 1,8 chilowatt 2,2 chilowatt della tagliatrice a cubetti dell'asse X della macchina del wafer a 8 pollici