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GaAs Epi Wafer

La CINA GaAs Epi Wafer

2inch GaAs Epi Wafer GaAs Substrati non drogati VGF

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N

Nome di prodotto:GaAs (100) substrati non drogati
S-C-N Conduce substrati GaAs non drogati da 2 pollici ad alta mobilità elettronica

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Tipo di comportamento:S-C-N

Drogante:GaAs-Si
wafer Undoped 0.4E18 di GaAs Epi dei substrati di 2inch GaAs a 1E18

Tipo di comportamento:S-C-N

Drogante:GaAs-Si

Angolo di orientamento:0°
Dopant Undoped di si dei substrati 2inch GaAs di VGF GaAs

Nome di prodotto:GaAs (100) substrati non drogati

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N
substrati Undoped del wafer di 17mm 2inch GaAs Epi 50.8mm

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N
51mm 2inch GaAs Wafer Substrati non drogati 7mm IF Lunghezza

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si
VGF 2 pollici GaAs Epi Wafer Substrati non drogati Lato lucido inciso

Nome di prodotto:Substrati GaAs da 2 pollici (100) non drogati

Metodo di crescita:VGF

Angolo di orientamento:0°
LED a substrato di arseniuro di gallio per comunicazioni ottiche

Nome di prodotto:GaAs (100) substrati non drogati

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N
Composto a semiconduttore 2 pollici GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

Nome di prodotto:GaAs (100) substrati non drogati

Drogante:GaAs-Si

Angolo di orientamento:0°
substrati Undoped VGF S-C-N del wafer 2inch GaAs di si di 18mm GaAs

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N
JDCD10-001-001 2 pollici GaAs (100) substrati non drogati

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N
JDCD10-001-002 Substrati GaAs da 2 pollici (100) drogati con Si

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N

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GaAs Epi Wafer

La CINA GaAs Epi Wafer

2inch GaAs Epi Wafer GaAs Substrati non drogati VGF

S-C-N Conduce substrati GaAs non drogati da 2 pollici ad alta mobilità elettronica

wafer Undoped 0.4E18 di GaAs Epi dei substrati di 2inch GaAs a 1E18

Dopant Undoped di si dei substrati 2inch GaAs di VGF GaAs

substrati Undoped del wafer di 17mm 2inch GaAs Epi 50.8mm

51mm 2inch GaAs Wafer Substrati non drogati 7mm IF Lunghezza

VGF 2 pollici GaAs Epi Wafer Substrati non drogati Lato lucido inciso

LED a substrato di arseniuro di gallio per comunicazioni ottiche

Composto a semiconduttore 2 pollici GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS

substrati Undoped VGF S-C-N del wafer 2inch GaAs di si di 18mm GaAs

JDCD10-001-001 2 pollici GaAs (100) substrati non drogati

JDCD10-001-002 Substrati GaAs da 2 pollici (100) drogati con Si

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo