Diametro:50,8 ±0.10
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Segno del laser:Come cliente richiesto
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore:430±15μm
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore:430 ±15μm
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore:430±15μm
Nome di prodotto:Sapphire Substrate Wafer
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:Elevata purezza Al2O3 (>99.995%)
Spessore:430 ±10μm
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore:430 ±10μm
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Nome di prodotto:50mm Sapphire Substrate Wafer
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore:430 ±15μm
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore:430 ±15μm
Nome di prodotto:Sapphire Substrate Wafer
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Bordo del wafer:R tipo
Orientamento di superficie:Un-aereo (11-20)
Materiale:₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore:430 ±15μm