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Sistema di ricottura termica rapida

La CINA Sistema di ricottura termica rapida

Sistema di ricottura RTP-SA-8

Dimensione massima del prodotto:Oggetti da 8 pollici o meno

Dimensioni dell'attrezzatura:970 mm x 1450 mm x 2024 mm (larghezza x profondità x altezza)

Gamma di temperatura di riscaldamento:Temperatura ambiente ~ 800 °C (termocoppia) 800 °C ~ 1250 °C (pirometro a infrarossi)
sistema di tempera termico rapido di 150mm con tre gas trattati degli insiemi

Nome di prodotto:Sistema di ricottura termica rapida

Modello:RTP-150RL

Dimensione massima del campione:150mm

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circa

GaN Epitaxial Wafer: il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI; Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf; Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale: Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um; CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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