La CINA Cristallo del carburo di silicio

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P

Politipo:4h

Diametro:100,0 mm ± 0,5 mm

Tipo del trasportatore:N-TYPE
4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P

Politipo:4h

Diametro:100,0 mm ± 0,5 mm

Orientamento:4,0°±0,2°
Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N

Tipo del trasportatore:N-TYPE

resistività:0.015~0.028ohm.cm

Orientamento:4,0°±0,2°
cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P

Politipo:4h

Diametro:100,0 mm ± 0,5 mm

Tipo del trasportatore:N-TYPE
cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P

Politipo:4h

Diametro:100,0 mm ± 0,5 mm

Tipo del trasportatore:N-TYPE
4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm

Politipo:4h

Tipo del trasportatore:N-TYPE

resistività:0.015~0.028ohm.cm
Sic cristallo 4" del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D

Politipo:4h

Diametro:100,0 mm ± 0,5 mm

Tipo del trasportatore:N-TYPE
JDZJ01-001-008 Cristallo seme SiC da 4 e 6 pollici

Politipo:4h

Diametro:105 ± 0,5 mm

Spessore:500±50μm
Cristallo di seme del carburo di silicio JDZJ01-001-007

Diametro:105 ± 0,5 mm

Tipo del trasportatore:500±50μm

TTV:≤15μm
Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

Filo di ordito (μm):≤50μm

Diametro:153 ± 0,5 mm

Spessore:500±50mm
JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P

Politipo:4h

Diametro:150,0 mm ± 0,5 mm

Tipo del trasportatore:N-TYPE
Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-006 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

Filo di ordito (μm):≤50μm

Diametro:153 ± 0,5 mm

Lunghezza del bordo di posizionamento principale:8,0±2,0

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Cristallo del carburo di silicio

La CINA Cristallo del carburo di silicio

Cristallo piano primario 4" del carburo di silicio di lunghezza 32.5mm grado 100.0mm di P

4H Politype singolo Crystal Silicon Carbide 4" fronte di si del grado di P

Da 0,015ohm.cm a 0,028ohm.cm Cristallo di carburo di silicio Tipo N

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado 18.0mm di P

cristallo 4" del carburo di silicio di 100.0mm grado Politype 4H di P

4" resistività del cristallo del carburo di silicio del grado P 0.015ohm.cm a 0.028ohm.cm

Sic cristallo 4" del lingotto JDZJ01-001-002 grado di D

JDZJ01-001-008 Cristallo seme SiC da 4 e 6 pollici

Cristallo di seme del carburo di silicio JDZJ01-001-007

Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-005 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

JDZJ01-001-004 Lingotto SiC Cristallo 6" Grado P

Sic il cristallo di seme JDZJ01-001-006 S classifica 6" grado φ153±0.5mm di S

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo