Sorry! This product is no longer available.

Let's see if there are any related products that interest you
product is no longer available.
Prodotti raccomandati
SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2

SP-Face 11-12 Non dopato GaN monocristallino di tipo N in posizione libera Resistenza del substrato 0,05 Ω·cm Densità di difetto macro 0cm−2

JDCD10-001-002 Sottostrati dopati con GaAs (100) di 2 pollici

JDCD10-001-002 Sottostrati dopati con GaAs (100) di 2 pollici

JDCD10-001-003 2 pollici GaAs ((100) Substrati dopati con Zn

JDCD10-001-003 2 pollici GaAs ((100) Substrati dopati con Zn

JDCD10-001-004 2 pollici GaAs (111) Si Doped Substrati

JDCD10-001-004 2 pollici GaAs (111) Si Doped Substrati

JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn

JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3

350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm

350 ± 25 μm Spessore Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato a TTV ≤ 10 μm e resistenza 0,1 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face Non dopato GaN monocristallino 20-21 / 20-2-1 10mm2 Resistenza 0,05 Ω·cm

JDCD06-001-005 Wafer di silicio da 6 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

JDCD06-001-005 Wafer di silicio da 6 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

JDCD06-001-004 Wafer di silicio da 5 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

JDCD06-001-004 Wafer di silicio da 5 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Macro Defect Densità 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistenza 106 Ω·Cm Dispositivi RF Wafer

JDCD06-001-006 Wafer di silicio da 8 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

JDCD06-001-006 Wafer di silicio da 8 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

JDCD06-001-007 Wafer di silicio da 12 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

JDCD06-001-007 Wafer di silicio da 12 pollici Dispositivi MEMS Circuiti integrati Substrati dedicati per dispositivi discreti

Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm

Dispositivo di alimentazione 5x10mm2 Substrato monocristallino GaN di tipo N non dopato, in piedi libero, con resistività 0,1 Ω·cm e BOW entro 10μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato monocristallino GaN di tipo N indipendente non dopato con TTV ≤ 10μm Resistenza 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N

5*10mm2 SP-Face 10-11 Non dopato GaN monocristallino di tipo N

Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face

Densità di difetto macro 0cm−2 Non dopato Substrato monocristallino GaN di tipo SI per dispositivi RF 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W

TTV ≤ 10μm A-Face non dopato di tipo N-Standing GaN single crystal Substrate Resistivity 0.1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser W