Dettagli:
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Diametro: | 6" | Grado: | Principale |
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Metodo di crescita: | La CZ | Orientamento: | <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0> |
Tipo/dopant: | Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb | Spessore (μm): | 675 |
Tolleranza di spessore: | ± standard 25μm, ± massimo 5μm di capacità | resistività: | 0.001-100 ohm-cm |
Di superficie finito: | P/E, P/P, E/E, G/G | TTV (μm): | <10 standard um, Capabilities<5 massimo um |
Arco/filo di ordito: | <40 standard um, Capabilities<20 massimo um | Particella: | <10> |
dispositivi a 6 pollici della lastra di silicio MEMS, circuiti integrati, substrati dedicati per i dispositivi discreti
Panoramica
Il silicio tipicamente è trovato composto con altri elementi. Gli elementi del silicio possono legare gli atomi strettamente e nelle disposizioni complesse. L'abbondanza di silicio lo rende economico e facile acquistare. Ciò è la più grande ragione per la quale il silicio è il materiale più ampiamente usato a semiconduttore.
Specificazione
lastra di silicio | |
Diametro
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2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
Grado | Principale |
Metodo di crescita | La CZ |
Orientamento | <1-0-0><1-1-1>,<1-1-0> |
Tipo/dopant | Tipo di P/boro, tipo di N/Phos, N Type/As, N Type/Sb |
Spessore (μm) | 279/380/525/625/675/725/775 |
Tolleranza di spessore | ± standard 25μm, ± massimo 5μm di Capabilit/SIC |
Resistività | 0.001-100 ohm-cm |
Di superficie finito | P/E, P/P, E/E, G/G |
TTV (μm) | Norma <10 um=""> |
Arco/filo di ordito | Norma <40 um=""> |
Particella | <10> |
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
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