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Dettagli:
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| Spessore: | 0.6~0.8mm | Nome di prodotto: | Singolo Crystal Substrate |
|---|---|---|---|
| Orientamento: | (101) | Superficie lucidata: | Singolo lato lucidato |
| FWHM: | <350arcsec> | Ra: | ≤0.5nm |
10x10mm2(010) Substrato monocristallino Ga2O3 autoportante drogato con Sn Grado del prodotto lucidatura singola Spessore 0,6~0,8 mm FWHM＜350arcsec, Ra≤0,5nm Resistenza 1,53E+18Ω/cm-3 Dispositivi optoelettronici, strati isolanti di materiali semiconduttori e Filtri UV
Mentre i dispositivi a base di silicio sono stati in grado di produrre dispositivi relativamente efficienti, le caratteristiche migliorate del nitruro di gallio danno ai semiconduttori GaN il vantaggio di perdere molta meno energia per il calore.L'ampio bandgap consente ai dispositivi GaN di sostenere temperature molto più elevate rispetto al silicio, consentendo un livello più elevato di efficienza energetica ai tuoi dispositivi preferiti in generale.
| Substrato di nitruro di gallio - Livello di ricerca | ||
| Dimensione | 10*15 mm | 10*10 mm |
| Spessore | 0,6~0,8 mm | |
| Orientamento | (010) | |
| Doping | SN | |
| Superficie lucida | Singolo lato lucidato | |
| Resistività/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
| FWHM | <350 secondi d'arco | |
| RA | ≤0,5 nm | |
| Pacchetto | Confezionato in camera bianca di classe 100, in atmosfera di azoto | |
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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