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Dettagli:
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| Spessore: | 0.6~0.8mm | Nome di prodotto: | Singolo Crystal Substrate |
|---|---|---|---|
| Orientamento: | (100) di 6° | Verniciatura: | Fe |
| FWHM: | <350arcsec> | Ra: | ≤5 nm |
10x10mm2 100(off 6°) Substrato monocristallino Ga2O3 autoportante drogato con Fe Grado del prodotto lucidatura singola Spessore 0,6~0,8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Dispositivi optoelettronici, strati isolanti di materiali semiconduttori e filtri UV
La densità di potenza è notevolmente migliorata nei dispositivi al nitruro di gallio rispetto a quelli al silicio perché il GaN ha la capacità di sostenere frequenze di commutazione molto più elevate.Ha anche una maggiore capacità di sostenere temperature elevate.
il nitruro di gallio è un semiconduttore a banda proibita diretta (band proibita = 3,4 eV) con struttura di tipo wurtzite ed è il materiale utilizzato per realizzare dispositivi emettitori di luce in grado di resistere ad ambienti corrosivi.Il nitruro di gallio viene preparato mediante reazione di Ga2O3 con NH3 a temperature elevate dell'ordine di 1000°C.
| Substrato di nitruro di gallio - Livello di ricerca | |
| Dimensioni | 10*10 mm |
| Spessore | 0,6~0,8 mm |
| Orientamento | (100) di 6° |
| Doping | Fe |
| Superficie lucida | Singolo lato lucidato |
| Resistività/Nd-Na | / |
| FWHM | <350 secondi d'arco |
| RA | ≤5 nm |
| Pacchetto | Confezionato in camera bianca di classe 100, in atmosfera di azoto |
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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