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Casa ProdottiGaAs Epi Wafer

JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn

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JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn

JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn
JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn

Grande immagine :  JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDCD10-001-005
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000pcs/Month
Contatto

JDCD10-001-005 2 pollici GaAs ((111) Substrati dopati con Zn

descrizione
Nome di prodotto: Wafer GaAs-Si Metodo di crescita: VGF
Tipo di comportamento: S-C-N Orientamento: (100)15°±0.5° Off Verso<111>UN
Angolo di orientamento: 180° DI Orientamento: EJ[0-1-1]±0.5°
DI Lunghezza (mm): 17±1 SE Lunghezza (mm): 7±1
Evidenziare:

Substrati dopati con Zn di 2 pollici

,

Substrati dopati con Zn

Substrati drogati con Zn GaAs(111) da 2 pollici

 

Panoramica
I cristalli di GaAs possono essere creati attraverso tre diversi metodi.Uno dei metodi più comuni è il processo di congelamento a gradiente verticale, che prevede la crescita dei cristalli e la loro affettatura, seguita dall'arrotondamento dei bordi e dalla loro lucidatura in wafer.Un altro metodo è la tecnica Bridgman-Stockbarger.

 

 

Wafer GaAs-Zn
Metodo di crescita VGF
Tipo di comportamento SCN
Drogante GaAs-Zn
Orientamento (100)15°±0.5° Off Verso<111>A
Angolo di orientamento 180°
DI Orientamento EJ[0-1-1]±0.5°
DI Lunghezza (mm) 17±1
SE Orientamento EJ[0-11]±0.5°
SE Lunghezza (mm) 7±1
Diametro (mm) 50,8±0,2
CC(/cc) 0.2E19~4.0E19
Resistività (ohm.cm) N / A
Mobilità (cm2/vs) ≥1000
DEP(/cm2) ≤5000
Spessore (um) 350±25
TTV(ehm) <10
TTR(um) <10
Arco (ehm) <15
Deformazione(um) <15
Superficie Lato 1: Lucido Lato 2: Inciso
Epi-Pronto SÌ
Confezione Cassetta

 

 

 

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

 

Prodotto Tag:

GaAs Epi Wafer Side Polished,

GaAs Epi Wafer Substrati non drogati,

Semiconduttore Wafer di arseniuro di gallio

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

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