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GaAs Epi Wafer

La CINA GaAs Epi Wafer

JDCD10-001-005 2 pollici GaAs(111) Substrati drogati con Zn

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Metodo di crescita:VGF

Tipo di comportamento:S-C-N
JDCD10-001-003 2 pollici GaAs(100) substrati Zn drogati

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Orientamento:(100) 15°±0.5° fuori da Toward<111>A

DI Orientamento:EJ[0-1-1]±0.5°
111) substrato Si-verniciato di JDCD10-001-004 2inch GaAs (

Nome di prodotto:Wafer GaAs-Si

Angolo di orientamento:0°

DI Orientamento:EJ[0-1-1]±0.5°

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GaN Epitaxial Wafer: il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI; Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf; Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale: Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um; CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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