Invia messaggio

Italian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Richiedere un preventivo |

Wafer Ga2O3

La CINA Wafer Ga2O3

JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Ga2O3 Ga2O3 autoportante monocristallino Grado del prodotto Singola lucidatura

Spessore:0.6~0.8mm

Nome di prodotto:Singolo Crystal Substrate

Orientamento:(100) di 6°

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Naviga tra le categorie：

circa

GaN Epitaxial Wafer: il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI; Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf; Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale: Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um; CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Lasciare messaggio

politica sulla riservatezza | La CINA buon qualità GaN Epitaxial Wafer fornitore. © 2023 - 2025 epi-wafers.com. All Rights Reserved.