Dettagli:
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Dimensioni: | ² di 10mm x di 5 | Spessore: | µm 350 ±25 |
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Orientamento: | Un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'aereo di M.-asse 0 ±0.5° A (11-20) fuori dall'angolo vers | TTV: | ≤ 10µm |
Arco: | - ARCO ≤10µm del ≤ di 10µm | Macro densità di difetto: | ² 0cm⁻ |
il Un-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0="">
Panoramica
Il nitruro di gallio (GaN) è ampio un semiconduttore molto duro e meccanicamente stabile del bandgap. Con più alta forza di ripartizione, la velocità più velocemente di commutazione, il più alta conducibilità termica ed abbassare la su resistenza, dispositivi di potere basati su GaN supera significativamente ai i dispositivi basati a silicio.
I ricercatori da Carolina State University del nord ed il Purdue University hanno indicato che il nitruro di gallio materiale a semiconduttore (GaN) è non tossico ed è compatibile con le cellule umane – aprire la porta all'uso del materiale in varie tecnologie biomediche dell'impianto.
Substrati indipendenti di un GaN del fronte | ||||
Oggetto | GaN-FS-UN-u-s | GaN-FS-UN-n-s | GaN-FS-Un-SI-s |
Un angolo circolare dell'arco (R < 2="" mm=""> |
Dimensioni | 5 x 10 millimetri2 | |||
Spessore | µm 350 ±25 | |||
Orientamento |
Un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'M.-asse 0 ±0.5° Un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'C-asse - 1 ±0.2° |
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Tipo di conduzione | N tipo | N tipo | Semi-isolamento | |
Resistività (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
TTV | µm del ≤ 10 | |||
ARCO | - 10 µm del ≤ 10 dell'ARCO del ≤ del µm | |||
Front Surface Roughness |
< 0=""> o < 0=""> |
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Rugosità di superficie posteriore |
0,5 μm ~1,5 opzione: 1~3 nanometro (terra fine); < 0=""> |
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Densità di dislocazione | Da 1 x 105 - 3 x 106 cm2 | |||
Densità macro di difetto | 0 cm2 | |||
Area utilizzabile | > 90% (esclusione del bordo) | |||
Pacchetto | Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore di 6 PCS, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto |
Appendice: Il diagramma dell'angolo del miscut
Se ±0.5°dei δ1 = 0, quindi un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'M.-asse è 0 ±0.5°.
Se ±0.2°dei δ2 = -1, quindi un aereo (11-20) fuori dall'angolo verso l'C-asse è - 1 ±0.2°.
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
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