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il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
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il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

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Grande immagine :  il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDCD01-001-009
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in camera bianca classe 10000, in cassette da 6pz o contenitori singoli w
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000pcs/Month

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf

descrizione
Dimensioni: ² di 10mm x di 5 Spessore: 350 ±25µm
Arco: - ≤ 10µm dell'ARCO del ≤ di 10µm Macro densità di difetto: ² 0cm⁻
Area utilizzabile: > 90% (esclusione del bordo) Densità di dislocazione: Da 1x10⁵ a 3x10⁶cm⁻²

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente Si tipa del substrato di monocristallo di GaN > 106 Ω·wafer dei dispositivi di cm rf


Panoramica
I wafer sottili di Epi sono comunemente usati per i dispositivi del MOS del bordo di attacco. Epi spesso o i wafer epitassiali a più strati è usato per i dispositivi pricipalmente per controllare la energia elettrica e stanno contribuendo a migliorare l'efficienza del consumo di energia.

Il substrato del nitruro di gallio (GaN) è un substrato monocristallino di alta qualità. È fatto con il metodo originale di HVPE e la tecnologia della trasformazione del wafer, che originalmente è stata sviluppata per molti anni. Le caratteristiche sono l'alta uniformità cristallina e buona e qualità di superficie superiore.

La m. affronta i substrati indipendenti di GaN
Oggetto

GaN-FS-M.-u-s

GaN-FS-M.-n-s

GaN-FS-M.-SI-s

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf 0

Nota:

Un angolo circolare dell'arco (R < 2="" mm="">

Dimensioni 5 x 10 millimetri2
Spessore µm 350 ±25
Orientamento

Aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'Un-asse 0 ±0.5°

Aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'C-asse - 1 ±0.2°

Tipo di conduzione N tipo N tipo Semi-isolamento
Resistività (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·cm
TTV µm del ≤ 10
ARCO - 10 µm del ≤ 10 dell'ARCO del ≤ del µm
Front Surface Roughness

< 0="">

o < 0="">

Rugosità di superficie posteriore

0,5 μm ~1,5

opzione: 1~3 nanometro (terra fine); < 0="">

Densità di dislocazione Da 1 x 105 - 3 x 106 cm2
Macro densità di difetto 0 cm2
Area utilizzabile > 90% (esclusione del bordo)
Pacchetto Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore di 6 PCS, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto

Appendice: Il diagramma dell'angolo del miscut

il M.-fronte 5*10mm2 Non-ha verniciato GaN Single Crystal Substrate Resistivity indipendente Si tipo > 10 ⁶ Ω·Wafer dei dispositivi di cm rf 1

Se il grado ±0.5 dei δ1 = 0, quindi l'aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'Un-asse è di 0 gradi ±0.5.

Se δ2 = - 1 grado ±0.2, quindi l'aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'C-asse è - 1 grado ±0.2.

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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