Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Name: Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDWY03-002-016
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Grande immagine : Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

Dettagli:

Luogo di origine:	Suzhou Cina
Marca:	GaNova
Certificazione:	UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello:	JDWY03-002-016

Termini di pagamento e spedizione:

Imballaggi particolari:	Confezionamento sottovuoto in camera bianca classe 10000, in cassette da 6pz o contenitori singoli w
Tempi di consegna:	3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	10000pcs/Month

Contatto

Da strato GUIDATO da verde di dimensione 520±10nm 2inch GaN On Silicon Wafer 20nmContact

descrizione

Nome di prodotto:	2-4inch da GaN GUIDATO da verde su silicio	Dimensione:	A 2 pollici, a 4 pollici
Dimensione:	520±10nm	Struttura del substrato:	111) substrato di 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
Pacchetto:	Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di	Certificazione:	UKAS/ISO9001:2015
Evidenziare:	20nm GaN su wafer di silicio , 520±10nm GaN su wafer di silicio

2inch da GaN GUIDATO da verde sulla lastra di silicio

Panoramica

Il nitruro di gallio (GaN) sta creando uno spostamento innovatore in tutto il mondo di elettronica di potenza. Per le decadi, a MOSFETs basati a silicio (transistor di effetto del giacimento del semiconduttore ad ossido-metallo) sono stati una parte integrante del mondo moderno di ogni giorno che aiuta l'energia del convertito per alimentare.

Le reti contraddittorie generative (GANs) sono le architetture algoritmiche che usano le due reti neurali, scavanti uno contro l'altro (così «il contraddittorio ") per generare le nuove, istanze sintetiche dei dati che possono passare per i dati reali. Sono utilizzate ampiamente nella generazione di immagine, nella video generazione e nella generazione di voce.

2-4inch da GaN GUIDATO da verde su silicio
Substrato di si dell'oggetto 111) (		Soluzione tampone di Al (GA) N	uGaN	nGaN	MQW (1-3 paia)		AlGaN	pGaN	Strato del contatto
					InGaN-QW	GaN-QB
Dimensioni		A 2 pollici, a 4 pollici
		520±10nm
Spessore		800nm	1000nm	3000nm	~3nm	~10nm	35nm	145nm	20nm
Composizione	Al%	/	/	/	/	/	~15	/	/
	In%	/	/	/	~25	/	/	/	/
Verniciatura	[Si]	/	/	8.0E+18	/	2.0E+17	/	/	/
	[Mg]	/	/	/	/	/	1.0E+20	3.0E+19	2.0E+20
Struttura del substrato		111) substrato di 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si (
Pacchetto		Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
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Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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