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Dettagli:
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| Nome di prodotto: | GaN Epitaxial Wafer | Dimensioni: | 10 x 10,5 mm² |
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| Spessore: | 350 ±25µm | Orientamento: | Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,35 ±0,15° |
| TTV: | ≤ 10µm | Arco: | - ≤ 10µm dell'ARCO del ≤ di 10µm |
10*10,5 mm² C-face Substrato monocristallino GaN indipendente di tipo n non drogato Resistività < 0,1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser
Applicazioni
Diodi laser: LD viola, LD blu e LD verde
Dispositivi elettronici di potenza, Dispositivi elettronici ad alta frequenza
Più di 10 anni di esperienza nella tecnologia di fabbricazione di wafer con substrati GaAs sono stati applicati alla produzione di substrati GaN.Il substrato GaN ha un orientamento superficiale controllato, privo di danni, molto piatto (Rms <0,2 nm) e superfici a gradini atomici controllati.È stata raggiunta una qualità superficiale adatta alla crescita epitassiale.
| Substrati GaN autoportanti 10 x 10,5 mm2 | ||||
| Articolo | GaN-FS-CU-S10 | GaN-FS-CN-S10 | GaN-FS-C-SI-S10 |
Osservazioni: |
| Dimensioni | 10 x 10,5 mm2 | |||
| Spessore | 350 ±25 µm | |||
| Orientamento | Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,35 ±0,15° | |||
| Tipo di conduzione | Tipo N | Tipo N | Semi-isolante | |
| Resistività (300K) | < 0,1Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10 µm | |||
| Arco | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| Rugosità della superficie della faccia Ga | < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidatura e trattamento superficiale per epitassia) |
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| Rugosità della superficie della faccia N | 0,5 ~ 1,5 micron opzione: 1~3 nm (terra fine);< 0,2 nm (lucidato) |
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| Densità di dislocazione | Da 1x105a 3 x 106cm-2(calcolato da CL)* | |||
| Macro densità dei difetti | 0 cm-2 | |||
| Zona utilizzabile | > 90% (esclusione bordo) | |||
| Pacchetto | Confezionato in camera bianca classe 100, in contenitore da 6 PCS, in atmosfera di azoto | |||
*Standard nazionali della Cina (GB/T32282-2015)
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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