Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Name: Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD-01-001-001
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Grande immagine : Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Dettagli:

Luogo di origine:	Suzhou Cina
Marca:	GaNova
Certificazione:	UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello:	JDCD-01-001-001

Termini di pagamento e spedizione:

Imballaggi particolari:	Confezionamento sottovuoto in camera bianca classe 10000, in cassette da 6pz o contenitori singoli w
Tempi di consegna:	3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	10000pcs/Month

Contatto

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

descrizione

Nome di prodotto:	Substrato di monocristallo di GaN	Dimensioni:	10 x 10,5 mm²
Spessore:	350 ±25µm	Orientamento:	Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,35 ±0,15°
TTV:	≤ 10µm	Macro densità di difetto:	² 0cm⁻
Evidenziare:	Trattamento superficiale Substrati di GaN , Epitaxy GaN Substrati , Substrati di GaN lucidati

10*10,5 mm² C-face Substrato monocristallino GaN indipendente di tipo n non drogato Resistività < 0,1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser

Panoramica
Forniamo substrati GaN di alta qualità prodotti con il metodo HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) originariamente progettato, utilizzando oltre 10 anni di esperienza nel settore degli epi-wafer GaAsP.

Substrati GaN autoportanti 10 x 10,5 mm2
Articolo	GaN-FS-CU-S10	GaN-FS-CN-S10	GaN-FS-C-SI-S10	Osservazioni: Un angolo di arco circolare (R <2 mm) viene utilizzato per distinguere la faccia Ga e N.
Dimensioni	10 x 10,5 mm²
Spessore	350 ±25 µm
Orientamento	Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,35 ±0,15°
Tipo di conduzione	Tipo N	Tipo N	Semi-isolante
Resistività (300K)	< 0,1Ω·cm	< 0,05 Ω·cm	> 10⁶Ω·cm
TTV	≤ 10 µm
Arco	- 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosità della superficie della faccia Ga	< 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidatura e trattamento superficiale per epitassia)


Rugosità della superficie della faccia N	0,5 ~ 1,5 micron opzione: 1~3 nm (terra fine);< 0,2 nm (lucidato)


Densità di dislocazione	Da 1x10⁵a 3 x 10⁶cm^-2(calcolato da CL)*
Macro densità dei difetti	0 cm^-2
Zona utilizzabile	> 90% (esclusione bordo)
Pacchetto	Confezionato in camera bianca classe 100, in contenitore da 6 PCS, in atmosfera di azoto

*Standard nazionali della Cina (GB/T32282-2015)

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia) 1

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

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Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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