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Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
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Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga &lt; 0,2 nm (lucidato) o &lt; 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)
Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga &lt; 0,2 nm (lucidato) o &lt; 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Grande immagine :  Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDCD-01-001-001
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in camera bianca classe 10000, in cassette da 6pz o contenitori singoli w
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000pcs/Month

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia)

descrizione
Nome di prodotto: Substrato di monocristallo di GaN Dimensioni: 10 x 10,5 mm²
Spessore: 350 ±25µm Orientamento: Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,35 ±0,15°
TTV: ≤ 10µm Macro densità di difetto: ² 0cm⁻
Evidenziare:

Trattamento superficiale Substrati di GaN

,

Epitaxy GaN Substrati

,

Substrati di GaN lucidati

10*10,5 mm² C-face Substrato monocristallino GaN indipendente di tipo n non drogato Resistività < 0,1 Ω·cm Dispositivo di potenza/laser

 


Panoramica
Forniamo substrati GaN di alta qualità prodotti con il metodo HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) originariamente progettato, utilizzando oltre 10 anni di esperienza nel settore degli epi-wafer GaAsP.

 

Substrati GaN autoportanti 10 x 10,5 mm2
Articolo GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia) 0

Osservazioni:
Un angolo di arco circolare (R <2 mm) viene utilizzato per distinguere la faccia Ga e N.

Dimensioni 10 x 10,5 mm2
Spessore 350 ±25 µm
Orientamento Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,35 ±0,15°
Tipo di conduzione Tipo N Tipo N Semi-isolante
Resistività (300K) < 0,1Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
Arco - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosità della superficie della faccia Ga < 0,2 nm (lucidato)
o < 0,3 nm (lucidatura e trattamento superficiale per epitassia)
Rugosità della superficie della faccia N 0,5 ~ 1,5 micron
opzione: 1~3 nm (terra fine);< 0,2 nm (lucidato)
Densità di dislocazione Da 1x105a 3 x 106cm-2(calcolato da CL)*
Macro densità dei difetti 0 cm-2
Zona utilizzabile > 90% (esclusione bordo)
Pacchetto Confezionato in camera bianca classe 100, in contenitore da 6 PCS, in atmosfera di azoto

*Standard nazionali della Cina (GB/T32282-2015)

 

 

Substrati GaN Rugosità superficiale faccia Ga < 0,2 nm (lucidato) o < 0,3 nm (lucidato e trattamento superficiale per epitassia) 1

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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