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Casa ProdottiGaN Epitaxial Wafer

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

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Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
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Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP
Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Grande immagine :  Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDWY03-001-031
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in camera bianca classe 10000, in cassette da 6pz o contenitori singoli w
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 10000pcs/Month
Contatto

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

descrizione
Nome di prodotto: blu dello GaN-su-zaffiro 4inch/wafer verde del LED Spessore: 650 ± 25μm
Orientamento: Aereo di C (0001) fuori dall'angolo verso il ± 0.1° di M.-asse 0,2 Tipo: Zaffiro piano
Polacco: Singolo lato lucidato (SSP)/doppio lato lucidato (DSP) Dimensione: 100 ± 0.2mm
Evidenziare:

Wafer epitassiale GaN LED blu

,

gan da 4 pollici su substrato di zaffiro

,

wafer epitassiale GaN piatto zaffiro

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici su zaffiro SSP

 

Il principio di funzionamento dei LED si basa sulla giunzione PN a semiconduttore.Una giunzione PN in un semiconduttore è l'interfaccia tra due regioni semiconduttrici di diverso drogaggio.Il lato p è drogato con impurità accettori come il boro che hanno un elettrone di valenza in meno rispetto al guscio di valenza del semiconduttore e il lato N è drogato con impurità donatrici come il fosforo che hanno un elettrone in più sul guscio di valenza rispetto al semiconduttore.

 

Wafer LED blu/verde GaN su zaffiro da 4 pollici

 

 

 

Substrato

 Tipo Zaffiro piatto

 

 

Wafer epitassiale GaN LED blu da 4 pollici con zaffiro piatto su zaffiro SSP 0
Polacco Singolo lato lucidato (SSP) / Doppio lato lucidato (DSP)
Dimensione 100 ± 0,2 mm
Orientamento Piano C (0001) fuori angolo rispetto all'asse M 0,2 ± 0,1°
Spessore 650 ± 25 micron

 

 

 

Epistrato

 Struttura 0,2μm pGaN/0,5μm MQWs/2,5μm nGaN/2,0μm uGaN
Spessore 5,5 ± 0,5μm
Rugosità (Ra) <0,5nm
Densità di dislocazione < 5 × 108cm-2
Lunghezza d'onda LED blu LED verde
465±10nm 525±10nm
FWHM di lunghezza d'onda < 25nm <40nm
Prestazioni del chip Tensione di intervento@1μA 2,3-2,5 V 2,2-2,4 V
Zona utilizzabile > 90% (esclusione bordi e macro difetti)

 

Pacchetto

 

Confezionato in camera bianca in un unico contenitore di wafer

 

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Wafer a semiconduttore del nitruro di gallio,

isolato GaN Substrates,

LED blu GaN Epitaxial Wafer

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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