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Dettagli:
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| Nome di prodotto: | M. Face Free-Standing GaN Substrates | Dimensioni: | 5 x 10,5 mm² |
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| Spessore: | 350 ±25µm | TTV: | ≤ 10µm |
| Arco: | - ≤ 10µm dell'ARCO del ≤ di 10µm | Macro densità di difetto: | ² 0cm⁻ |
| Evidenziare: | 350um gan sulla lastra di silicio,M. Face gan sul wafer di si,UKAS gan sulla lastra di silicio |
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M. Face Free-Standing GaN Substrates Front Surface Roughness < 0="">
il M.-fronte 5*10.5mm2 Non-ha verniciato la resistività indipendente n tipa del substrato di monocristallo di GaN < 0="">
Panoramica
Ci sono tre substrati principali che sono usati con GaN - carburo di silicio (sic), silicio (si) e diamante. GaN sopra sic è la maggior parte del terreno comunale dei tre ed è stato utilizzato nelle varie domande nel militare e di applicazioni senza fili dell'infrastruttura di alto potere. GaN sul si è un più nuovo substrato di cui la prestazione non è buona quanto sic ma è più economico. GaN sul diamante è il più di funzionamento soddisfacente, tuttavia poiché è nuovo e relativamente costoso, le applicazioni, dove questo è stato usato, è limitato.
| La m. affronta i substrati indipendenti di GaN | ||||
| Oggetto |
GaN-FS-M.-u-s
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GaN-FS-M.-n-s
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GaN-FS-M.-SI-s |
Nota: Un angolo circolare dell'arco (R < 2="" mm=""> |
| Dimensioni | 5 x 10 millimetri2 | |||
| Spessore | µm 350 ±25 | |||
| Orientamento |
Aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'Un-asse 0 ±0.5° Aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'C-asse - 1 ±0.2° |
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| Tipo di conduzione | N tipo | N tipo | Semi-isolamento | |
| Resistività (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm del ≤ 10 | |||
| ARCO | - 10 µm del ≤ 10 dell'ARCO del ≤ del µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> o < 0=""> |
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| Rugosità di superficie posteriore |
0,5 μm ~1,5 opzione: 1~3 nanometro (terra fine); < 0=""> |
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| Densità di dislocazione | Da 1 x 105 - 3 x 106 cm2 | |||
| Macro densità di difetto | 0 cm2 | |||
| Area utilizzabile | > 90% (esclusione del bordo) | |||
| Pacchetto | Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore di 6 PCS, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto | |||
Appendice: Il diagramma dell'angolo del miscut
Se il grado ±0.5 del δ 1= 0, quindi l'aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'Un-asse è di 0 gradi ±0.5.
Se δ2= - 1 grado ±0.2, quindi l'aereo di m. (1 - 100) fuori dall'angolo verso l'C-asse è - 1 grado ±0.2.
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
FAQ
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Siamo fabbrica.
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È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
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Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <>
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Telefono: +8613372109561
