Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED

Descrizione:

I wafer epiaxiali si riferiscono a prodotti formati coltivando un nuovo strato di cristallo singolo su un unico substrato cristallino.I wafer epiaxiali determinano circa il 70% delle prestazioni dei dispositivi e sono importanti materie prime per i chip semiconduttoriI produttori di wafer epiaxiali utilizzano apparecchiature CVD (Chemical Vapor Deposition), MBE (Molecular Beam Epitaxy), HVPE, ecc.per la coltivazione di cristalli e la produzione di wafer epitaxiali su materiali di substratoI wafer epitexiali vengono quindi fabbricati in wafer attraverso processi come la fotolitografia, la deposizione di film sottili e l'incisione.che passano attraverso processi di imballaggio quali la fissazione del substrato, installazione di involucri protettivi, collegamento del filo tra i perni del circuito del chip e i substrati esterni, nonché collaudo del circuito, collaudo delle prestazioni,e altre fasi di test per produrre infine il chipIl processo di produzione di chip di cui sopra deve mantenere l'interazione con il processo di progettazione del chip per garantire che il chip finale soddisfi i requisiti di progettazione del chip.
Sulla base delle prestazioni del nitruro di gallio, i wafer epitaxiali di nitruro di gallio sono principalmente adatti per applicazioni ad alta potenza, alta frequenza, media e bassa tensione, specificamente riflessi in:1) Larghezza di banda alta: l'ampiezza di banda elevata migliora il livello di resistenza alla tensione dei dispositivi al nitruro di gallio, che possono produrre una potenza superiore rispetto ai dispositivi all'arsenuro di gallio,con una capacità di accensione superiore a 50 W2) Alta efficienza di conversione:La resistenza di conduzione dei dispositivi elettronici di commutazione di potenza del nitruro di gallio è di tre ordini di grandezza inferiore a quella dei dispositivi di silicio3) Alta conduttività termica: l'alta conduttività termica del nitruro di gallio gli conferisce eccellenti prestazioni di dissipazione del calore,con una tensione di potenza superiore a 50 kVA,, alta temperatura e altri campi; 4) Forza del campo elettrico di rottura: sebbene la forza del campo elettrico di rottura del nitruro di gallio sia simile a quella del nitruro di silicio,la tolleranza di tensione dei dispositivi al nitruro di gallio è di solito intorno a 1000V a causa di fattori quali la tecnologia dei semiconduttori e la discompattività del reticolo del materiale, e la tensione di funzionamento sicura è generalmente inferiore a 650V

le specifiche: