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comprare Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5" orientamento <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> in linea fabbricante

Lastra di silicio della CZ di metodo di crescita 5" orientamento <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
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2022-09-27 16:53:40
comprare Tipo tipo di N dello Sb N come a 8 pollici a 6 pollici della lastra di silicio in linea fabbricante

Tipo tipo di N dello Sb N come a 8 pollici a 6 pollici della lastra di silicio
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2023-02-17 12:43:17
comprare 2&quot; principale μm standard &lt;10 Capabilities&lt;5um massimo della lastra di silicio in linea fabbricante

2" principale μm standard <10 Capabilities<5um massimo della lastra di silicio
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2022-09-27 16:52:11
comprare Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ in linea fabbricante

Wafer 380um 525um 625um a semiconduttore del silicio della CZ
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2022-09-27 16:51:27
comprare Tipo lastra di silicio di Phos 3&quot; di N spessore 279um 380um 525um 625um in linea fabbricante

Tipo lastra di silicio di Phos 3" di N spessore 279um 380um 525um 625um
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2022-09-27 16:51:42
comprare Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm in linea fabbricante

Spessore del wafer di silicio a semiconduttore da 2 pollici 279 μm
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2022-09-27 16:54:31
comprare 0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro in linea fabbricante

0,001-100 ohm-cm Wafer di silicio tipo P drogante al boro
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2022-09-27 16:52:32
comprare Tipo a 12 pollici tipo Phos della lastra di silicio P del boro N in linea fabbricante

Tipo a 12 pollici tipo Phos della lastra di silicio P del boro N
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2023-02-17 12:42:20
comprare Dispositivi discreti Spessore wafer di silicio da 2 pollici 675um 725um 775um in linea fabbricante

Dispositivi discreti Spessore wafer di silicio da 2 pollici 675um 725um 775um
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2022-09-27 16:50:52
comprare Dispositivi MEMS Substrati di silicio Circuiti integrati Dedicati in linea fabbricante

Dispositivi MEMS Substrati di silicio Circuiti integrati Dedicati
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2022-09-27 16:52:41
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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