Casa Prodottielectronic grade cvd diamond substrates produttore online

Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Wafer sic epitassiale
(28)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrati diamantati CVD
(15)

Sistema di ricottura termica rapida
(2)

Tester per sensori ad effetto Hall
(3)

Wafer del nitruro di alluminio
(21)

Chip del diodo laser
(10)

Cristallo del carburo di silicio
(12)

Wafer Ga2O3
(13)

lastra di silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modellata
(10)

Supporto del wafer del
(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer
(5)

Certificazione

La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni

Sono ora online in chat

electronic grade cvd diamond substrates produzione online

(13)

Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5
Contatto

2022-09-27 17:12:44

3.515g/cm3 CVD Diamond substrata la trasmissione della luce 225nm all'infrarosso lontano
Contatto

2022-09-27 17:12:16

Wm K 1000 ~ CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
Contatto

2022-09-27 17:13:12

3 tenore di N di CVD Diamond Substrates di X 3mm2 < 100ppb per il dissipatore di calore
Contatto

2022-10-09 09:54:10

70 al grado di CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic di 120 PGa
Contatto

2022-09-27 17:13:37

Modulo di Young 1050PGa singolo Crystal Substrate Electronic Grade
Contatto

2022-09-27 17:14:25

grado elettronico singolo Crystal Diamond 225nm di 3x3mm2 0.3mm ad infrarosso lontano
Contatto

2022-09-27 17:12:26

Contenuto di wafer di diamante a cristallo singolo di grado elettronico da 225 nm a infrarossi lontani
Contatto

2022-09-27 17:13:55

Contenuto N
Contatto

2022-09-27 17:14:46

JDCD05-001-004 Diamante a cristallo singolo di grado elettronico 3 * 3 mm2 * 0,5 mm, contenuto N
Contatto

2022-10-09 09:54:38

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Wafer sic epitassiale

GaAs Epi Wafer

Substrati diamantati CVD

Sistema di ricottura termica rapida

Tester per sensori ad effetto Hall

Wafer del nitruro di alluminio

Chip del diodo laser

Cristallo del carburo di silicio

Wafer Ga2O3

lastra di silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modellata

Supporto del wafer del

Tagliatrice a cubetti per wafer

electronic grade cvd diamond substrates produzione online

Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5
Contatto

3.515g/cm3 CVD Diamond substrata la trasmissione della luce 225nm all'infrarosso lontano
Contatto

Wm K 1000 ~ CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
Contatto

3 tenore di N di CVD Diamond Substrates di X 3mm2 < 100ppb per il dissipatore di calore
Contatto

70 al grado di CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic di 120 PGa
Contatto

Modulo di Young 1050PGa singolo Crystal Substrate Electronic Grade
Contatto

grado elettronico singolo Crystal Diamond 225nm di 3x3mm2 0.3mm ad infrarosso lontano
Contatto

Contenuto di wafer di diamante a cristallo singolo di grado elettronico da 225 nm a infrarossi lontani
Contatto

Contenuto N
Contatto

JDCD05-001-004 Diamante a cristallo singolo di grado elettronico 3 * 3 mm2 * 0,5 mm, contenuto N
Contatto

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo