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Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5

Certificazione
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Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5

Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5
Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5

Grande immagine :  Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5

Dettagli:
Marca: GaNova
Numero di modello: JDCD05-001-001
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in camera bianca classe 10000, in cassette da 6pz o contenitori singoli w
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 5000pcs/month

Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5

descrizione
Densità (g/cm3): 3.515 Nome di prodotto: Substrati diamantati CVD
Coefficiente di frizione: 0,1 Conducibilità termica (300K,Wm·K): 1000~2000
Indice di rifrazione (590nm): 2,4 Trasmissione leggera: 225nm a lontano infrarosso
Evidenziare:

Substrati diamantati CVD di grado elettronico

,

substrati a cristallo singolo

,

substrati diamantati CVD 0

Foro Mobilità 3800 cm2/V·S Costante dielettrica di diamante a cristallo singolo di grado elettronico 5,5

3 * 3 mm² * 0,3 mm Diamante monocristallo di grado elettronico, contenuto N <100 ppb, XRD <0,015º per dissipatore di calore

 

Panoramica

Al contrario, la crescita CVD avviene a temperature più moderate, a pressioni inferiori alle condizioni ambientali e lontane dall'equilibrio.Vengono riassunti gli aspetti generali della CVD del diamante comprendente la chimica della fase gassosa, i diversi approcci tecnici per l'attivazione della fase gassosa e la progettazione del reattore.Esistono due approcci concorrenti verso i wafer di diamante a cristallo singolo richiesti per le applicazioni elettroniche.

 

 

 

Specifica

proprietà Diamante sintetico  
Densità (g/cm3) 3.515 Proprietà intrinseche
Modulo di Young (PGa) 1050

Proprietà meccanica

Durezza (PGa)

70~120 cristallo singolo

60~100 policristallino

Forza di rottura

2.5-3GPasi cristallo singolo

200-1100 MPa policristallino

Tenacità alla frattura (MPa·m1/2) 1~8
Coefficiente di frizione 0.1
Conducibilità termica (300K,Wm·K) 1000~2000 Proprietà termali
Coefficiente di dilatazione termica (×10-6/℃) 1 (temperatura ambiente)
Indice di rifrazione (590nm) 2.4 Proprietà ottiche
Trasmissione della luce 225nm a lontano infrarosso
Larghezza banda proibita (ev) 5.47 Proprietà elettriche
Resistività (Ω·cm) >1010
Mobilità elettronica (cm2/V·s) 4500
Mobilità del foro (cm2/V·s) 3800
Costante dielettrica 5.5 Proprietà dielettriche
Perdite dielettriche <2×10-4

 

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

 

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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