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1um al lato singolo o doppio del substrato del nitruro di alluminio 5um ha lucidato
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2022-09-27 15:36:51

ALN 10*10mm2 AlN singolo cristallo 400±50μM grado S/P/R
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2024-12-06 17:49:47

Wafer monocristallino da 1 pollice AlN 400±50μM grado S/P/R
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2024-12-06 17:50:21

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo