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Rugosità Ra<1.5nm di AIN On Aluminum Nitride Wafer

Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
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Rugosità Ra<1.5nm di AIN On Aluminum Nitride Wafer

Rugosità Ra&lt;1.5nm di AIN On Aluminum Nitride Wafer
Rugosità Ra&lt;1.5nm di AIN On Aluminum Nitride Wafer

Grande immagine :  Rugosità Ra<1.5nm di AIN On Aluminum Nitride Wafer

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDWY01-001-003
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento: T/T

Rugosità Ra<1.5nm di AIN On Aluminum Nitride Wafer

descrizione
Spessore: [1,2)μm,[2,3)μm,[3,4)μm,[4,5)μm Orientamento: Piano C (0001)±1˚
Tipo di conduzione: Semi-isolamento Zona di esclusione del bordo: <2 mm
Nome di prodotto: Wafer del nitruro di alluminio XRD FWHM di (102): ≤650arcsec, ≤550arcsec, ≤450arcsec, ≤400arcsec
Evidenziare:

AIN On Aluminum Nitride Wafer

,

substrato 1um del nitruro di alluminio

,

Wafer 2um del nitruro di alluminio

Ra di rugosità dell'C-aereo (0001) ±1o AIN On Sapphire Wafer Surface<1>

2,3) μm a 2 pollici AIN On Sapphire Wafer, SSP, XRD FWHM del film spesso ((002) del chip UV di disinfezione LED di ≤100arcsec (102) ≤550arcsec

Panoramica

Oltre alla sua buona conducibilità termica, il nitruro di alluminio è inoltre un buon isolante elettrico. Può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni che richiedono l'isolamento elettrico superiore. Inoltre è conosciuto affinchè la sua capacità resista alla corrosione. Mentre la maggior parte degli usi comuni del nitruro di alluminio sono nell'industria elettronica, sempre più è trovato nel campo della microelettronica. Nella microelettronica, è specialmente utile dovuto la sua alta conducibilità termica, che è insolita per un isolante elettrico.

Specificazione

Oggetto AlN-T-C-U-C50
Dimensioni φ50.8 mm±0.1 millimetro, DI (1-100), Al Face, individuante bordo 16.0± 1,0 millimetri
Substrato Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)
Spessore 1~5μm
Orientamento

C-aereo (0001) ±1o

Tipo di conduzione Semi-isolamento
Qualità cristallina Spessore XRD FWHM di (002) XRD FWHM di (102)
μm [di 1,2) ≤80arcsec ≤650arcsec
μm [di 2,3) ≤100arcsec ≤550arcsec
μm [di 3,4) ≤120arcsec ≤450arcsec
μm [di 4,5) ≤160arcsec ≤400arcsec
Zona di esclusione del bordo

<2mm>

Rugosità di superficie Ra<1>
Pacchetto Vuoto che imballa nell'ambiente della stanza pulita della classe A 10000, in cassette di 25pcs o di singoli contenitori del wafer.

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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