Casa Prodottisic epitaxial wafer c face produttore online

Tutti i prodotti

GaN Epitaxial Wafer
(61)

Wafer sic epitassiale
(28)

GaAs Epi Wafer
(15)

Substrati diamantati CVD
(15)

Sistema di ricottura termica rapida
(2)

Tester per sensori ad effetto Hall
(3)

Wafer del nitruro di alluminio
(21)

Chip del diodo laser
(10)

Cristallo del carburo di silicio
(12)

Wafer Ga2O3
(13)

lastra di silicio
(26)

Sapphire Wafer
(19)

Sapphire Substrates modellata
(10)

Supporto del wafer del
(1)

Tagliatrice a cubetti per wafer
(5)

Certificazione

La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni

Sono ora online in chat

sic epitaxial wafer c face produzione online

(26)

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
Contatto

2023-02-17 15:51:34

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo
Contatto

2022-10-24 10:26:24

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
Contatto

2023-03-22 16:09:10

substrato del wafer SiC del wafer epitassiale di 4H SiC per i dispositivi fotonici ISO9001
Contatto

2022-10-25 14:35:48

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

2023-02-17 15:11:59

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H
Contatto

2022-10-24 10:20:57

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um
Contatto

2022-10-24 10:21:01

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um
Contatto

2022-10-24 10:21:37

4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm
Contatto

2023-02-17 15:17:12

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
Contatto

2022-10-24 10:23:40

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

GaN Epitaxial Wafer

Wafer sic epitassiale

GaAs Epi Wafer

Substrati diamantati CVD

Sistema di ricottura termica rapida

Tester per sensori ad effetto Hall

Wafer del nitruro di alluminio

Chip del diodo laser

Cristallo del carburo di silicio

Wafer Ga2O3

lastra di silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modellata

Supporto del wafer del

Tagliatrice a cubetti per wafer

sic epitaxial wafer c face produzione online

0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer di cm
Contatto

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo
Contatto

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI
Contatto

substrato del wafer SiC del wafer epitassiale di 4H SiC per i dispositivi fotonici ISO9001
Contatto

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri
Contatto

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H
Contatto

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um
Contatto

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um
Contatto

4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm
Contatto

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
Contatto

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo