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Casa Prodotti Wafer sic epitassiale

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm

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Certificazione

La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni

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4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm

Grande immagine : 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm

Dettagli:

Luogo di origine:	Suzhou Cina
Marca:	GaNova
Certificazione:	UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello:	JDCD03-001-003

Termini di pagamento e spedizione:

Imballaggi particolari:	Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Tempi di consegna:	3-4 giorni della settimana
Termini di pagamento:	T/T

Contatto

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm

descrizione

Nome di prodotto:	Wafer sic epitassiale	Diametro:	150.0mm +0mm/-0.2mm
Orientamento di superficie:	Fuori asse: ° di 4°toward <11-20>±0.5	Lunghezza piana primaria:	± 1.5mm di 47.5mm
Lunghezza piana secondaria:	Nessun piano secondario	Orientamento piano primario:	To<11-20>±1° parallelo
Misorientation ortogonale:	±5.0°	Esclusione del bordo:	3mm
Evidenziare:	wafer sic epitassiale 4H , wafer 0.025Ω di epi del silicio•Cm , Wafer sic epitassiale 0.015Ω•Cm

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm

JDCD03-001-003

Panoramica

Il tipo seguente è beta carburo di silicio. Beta sic è prodotto alle temperature centigrado più superiore 1700 gradi. L'alfa carburo è il più comune ed ha un sistema cristallino esagonale simile al solfuro di zinco. La beta forma è simile al diamante ed è utilizzata in alcune applicazioni. È stato la scelta preferita nei semi di potere per i veicoli elettrici. Parecchi sic fornitori di terzi del wafer attualmente stanno lavorando a questo nuovo materiale.

Proprietà	Grado P-MOS	Grado di P-SBD	Grado di D
Crystal Form	4H
Polytype	Nessuno hanno permesso		Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Piatti della sfortuna	Nessuno hanno permesso		Area≤5%
Polycrystal esagonale	Nessuno hanno permesso
Inclusioni ^a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	N/A
Resistività	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(DST) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
Errore di impilamento	Area di ≤0.5%	Area di ≤1%	N/A
Contaminazione da metalli di superficie	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, mn) ≤1E11 cm^-2
Diametro	150,0 millimetri +0mm/-0.2mm
Orientamento di superficie	Fuori asse: ° <11-20>di 4°toward ±0.5
Lunghezza piana primaria	47,5 millimetri di ± 1,5 millimetri
Lunghezza piana secondaria	Nessun piano secondario
Orientamento piano primario	To±1° parallelo<11-20>
Orientamento piano secondario	N/A
Misorientation ortogonale	±5.0°
Finitura superficia	C-fronte: Polacco ottico, Si-fronte: CMP
Bordo del wafer	Smussatura
Rugosità di superficie (10μm×10μm)	Fronte Ra≤0.20 nanometro di si; Fronte Ra≤0.50 nanometro di C
Spessore ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(ARCO) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Filo di ordito) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Chip/rientranze	Nessuno hanno permesso la larghezza e la profondità di ≥0.5mm		Larghezza e profondità di Qty.2 ≤1.0 millimetro
Graffi ^a (Fronte di si, CS8520)	≤5 e diametro cumulativo di Length≤0.5×Wafer		≤5 e Length≤1.5×Wafer cumulativo Diametro
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	N/A
Crepe	Nessuno hanno permesso
Contaminazione	Nessuno hanno permesso
Proprietà	Grado P-MOS	Grado di P-SBD	Grado di D
Esclusione del bordo	3mm

Nota: l'esclusione del bordo di 3mm è usata per gli oggetti segnati con ^{il A.}

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Prodotto Tag:

_silicio carburo epitassiale wafer,

Tipo wafer sic epitassiale di N,

Fronte sic epitassiale del wafer C

Dettagli di contatto

Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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Nome di prodotto: Wafer sic epitassiale

Orientamento di superficie: Fuori asse: ° di 4°toward <11-20>±0.5

Polytype: Nessuno hanno permesso

Misorientation ortogonale: ±5.0°

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Nome di prodotto: Substrato SiC

Crystal Form: 4h

Diametro: 150.0mm+0mm/-0.2mm

Orientamento di superficie: Fuori asse: ° di 4°toward <11-20>±0.5

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

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Nome di prodotto: Wafer sic epitassiale

Crystal Form: 4h

Bordo del wafer: smussatura

Diametro: 150.0mm +0mm/-0.2mm

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Nome di prodotto: Wafer sic epitassiale

Crystal Form: 4h

Diametro: 150,0 mm+0,0/-0,2 mm

Orientamento di superficie: {0001}±0,2°

il P-MOS sic epitassiale del wafer 4H classifica 150,0 millimetri +0mm/-0.2mm 47,5 millimetri di ± 1,5 millimetri

il P-MOS sic epitassiale del wafer 4H classifica 150,0 millimetri +0mm/-0.2mm 47,5 millimetri di ± 1,5 millimetri

Nome di prodotto: Wafer sic epitassiale

Diametro: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Orientamento di superficie: Fuori asse: ° di 4°toward <11-20>±0.5

Lunghezza piana primaria: ± 1.5mm di 47.5mm

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