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Dettagli:
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| Ra: | ≤0.5nm | Spessore: | 0.6~0.8mm |
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| Nome di prodotto: | Singolo Crystal Substrate | Superficie lucidata: | Singolo lato lucidato |
| Orientamento: | (010) | FWHM: | <350arcsec> |
| Evidenziare: | Substrato Ga2O3 lucidato lateralmente,substrato di ossido di gallio da 0,8 mm |
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Un lato lucido Ga2O3Spessore substrato cristallo singolo 0,6~0,8 mm
10x15 mm2(010)Ga autoportante drogato con Sn2O3substrato a cristallo singolo Grado del prodotto lucidatura singola Spessore 0,6~0,8 mm FWHM＜350arcsec, Ra≤0,5nm Resistenza 2,00E+17Ω/cm-3Dispositivi optoelettronici, strati isolanti di materiali semiconduttori e filtri UV
Il GaN sta diventando sempre più importante grazie alla sua capacità di offrire prestazioni notevolmente migliorate in un'ampia gamma di applicazioni, riducendo l'energia e lo spazio fisico necessari per fornire tali prestazioni rispetto alle tecnologie convenzionali al silicio.
Il silicio è stato a lungo il materiale preferito per la produzione di componenti elettronici fondamentali, inclusi computer, smartphone, televisori e fotocamere.
| Substrato di nitruro di gallio - Livello di ricerca | ||
| Dimensione | 10*15 mm | 10*10 mm |
| Spessore | 0,6~0,8 mm | |
| Orientamento | (010) | |
| Doping | SN | |
| Superficie lucida | Singolo lato lucidato | |
| Resistività/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
| FWHM | <350 secondi d'arco | |
| RA | ≤0,5 nm | |
| Pacchetto | Confezionato in camera bianca di classe 100, in atmosfera di azoto | |
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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