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Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

Certificazione
La CINA Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Certificazioni
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Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore
Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

Grande immagine :  Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

Dettagli:
Luogo di origine: Suzhou Cina
Marca: GaNova
Certificazione: UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello: JDCD04-001-005
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in camera bianca classe 10000, in cassette da 6pz o contenitori singoli w
Tempi di consegna: 3-4 giorni della settimana

Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore

descrizione
Spessore: 0.6~0.8mm Nome di prodotto: Singolo Crystal Substrate
Orientamento: (010)(201) Verniciatura: UID
FWHM: <350arcsec> Ra: ≤0.5nm
Evidenziare:

Singolo substrato di Crystal Gallium Oxide

,

iso del wafer a semiconduttore

,

Verniciatura di UID del substrato dell'ossido del gallio

GA2O3 singolo Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec>

10x15mm2 (- 201) Uid-ha verniciato il singolo spessoredi lucidatura 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec di GA2O3 di monocristallo del substrato del grado indipendente del prodotto, i dispositivi optoelettronici della resistenza 4.13E+17Ω/cm-3 di Ra≤0.5nm, gli strati isolanti dei materiali a semiconduttore ed i filtri UV

Il monocristallo dell'ossido del gallio (GA2 O3) è un ampio-bandgap materiale a semiconduttore. L'ossido del gallio (GA2 O3) ha vaste prospettive dell'applicazione in dispositivi optoelettronici, ha usato come strato isolante per ai i materiali basati a GA a semiconduttore e come filtro ultravioletto.


Ci sono cinque fasi cristalline di GA2 O3, ma beta-GA2 la O3 è quello solo che può esistere stabile a temperatura elevata. Β-GA2 O3 è un nuovo tipo di materiale trasparente a semiconduttore del bandgap ultra di ampiezza con una larghezza di banda severa circa per esempio di eV =4.8, che adatto a dispositivi di potere verticali fabbricanti della struttura di alto potere con densità a corrente forte. Ha prospettive dell'applicazione nei campi dei rivelatori ultravioletti, dei diodi a emissione luminosa (LED) e dei sensori del gas.

Substrato del nitruro di gallio--Livello di ricerca
Dimensioni 10*10mm 10*15mm
Spessore 0.6~0.8mm
Orientamento (010) (201)
Verniciatura UID
Superficie lucidata Singolo lato lucidato
Resistivity/Nd-Na / 4.13E+17
FWHM <350arcsec>
Ra ≤0.5nm
Pacchetto Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, nell'ambito di un'atmosfera dell'azoto

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <> >=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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