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1'' AlN Nitruro Di Alluminio Wafer 400um S / P / R Lucidatura Chimica Grado

Name: 1'' AlN Nitruro Di Alluminio Wafer 400um S / P / R Lucidatura Chimica Grado
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD02-001-003
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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lastra di silicio
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Supporto del wafer del
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Tagliatrice a cubetti per wafer
(5)

Certificazione

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1'' AlN Nitruro Di Alluminio Wafer 400um S / P / R Lucidatura Chimica Grado

Grande immagine : 1'' AlN Nitruro Di Alluminio Wafer 400um S / P / R Lucidatura Chimica Grado

Dettagli:

Luogo di origine:	Suzhou Cina
Marca:	GaNova
Certificazione:	UKAS/ISO9001:2015
Numero di modello:	JDCD02-001-003

Termini di pagamento e spedizione:

Imballaggi particolari:	Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento:	T/T

Contatto

1'' AlN Nitruro Di Alluminio Wafer 400um S / P / R Lucidatura Chimica Grado

descrizione

Nome di prodotto:	AlN monocristallo	Rugosità:	Faccia Al: ≤0,5 nm Faccia N (posteriore): ≤1,2 μm
Aspetto:	Bordo di posizionamento del nastro circolare	TUA:	≥90%
Orientamento del bordo di posizionamento principale:	{10-10} ±5.0°	TTV (μm):	≤30
Evidenziare:	Wafer di nitruro di alluminio da 1 '' , wafer AlN grado S , wafer di nitruro di alluminio 400um

1'' AlN Single Crystal 400±50μm S/P/R Grado di alluminio Superficie: lucidatura chimica La doppia lucidatura può essere personalizzata

JDCD02-001-003 Monocristallo AlN da 1 pollice grado S/P/R 400±50μm

Cos'è il nitruro di alluminio?Il nitruro di alluminio (AlN) è un materiale eccellente da utilizzare se sono richieste elevate proprietà di conducibilità termica e isolamento elettrico;rendendolo un materiale ideale per l'uso nella gestione termica e nelle applicazioni elettriche.

Il materiale è stabile alle alte temperature in atmosfera inerte.Ha uno strato protettivo di ossido che protegge il materiale fino a 1370°C.È anche stabile in atmosfere di idrogeno fino a 980°C.Può essere sciolto o idrolizzato da alcali forti, ma è resistente alla maggior parte dei sali fusi e alla criolite.Ecco perché è così utile nella microelettronica.

Substrato monocristallino in nitruro di alluminio da 1 pollice
Specifiche di cristallo	Valore del parametro
Diametro (mm)	25,4±0,5
Spessore (μm)	400±50
Forma di cristallo	2H
Politipo	{0001}±0,5°
Lucidatura superficiale	Superficie in alluminio: lucidatura chimica (la doppia lucidatura può essere personalizzata)
Rugosità	Al faccia: ≤0.5nm N faccia (posteriore): ≤1.2μm
aspetto	Bordo di posizionamento del nastro circolare
Grado di qualità	Grado S (Super)	Grado P (produzione)	Grado R (Ricerca)
HRXRD Larghezza mezza altezza@{0002}(arcosec)	≤150	≤300	≤500
HRXRD Larghezza mezza altezza@{10-12}(arcosec)	≤100	≤200	≤400
coefficiente di assorbimento@265nm(cm-1)	≤50	≤70	≤100
Esclusione bordo(mm)	1	1	1
Rientri	/	/	/
Patatine fritte	/	/	≤3 Cumulativo ≤1.0mm
TUA	≥90%
Orientamento del bordo di posizionamento principale	{10-10}±5,0°
Orientamento della superficie di posizionamento secondaria	Faccia Al: ruotare in senso orario nella direzione del bordo di posizionamento principale di 90°±5° Faccia N: ruotare in senso antiorario nella direzione del bordo di posizionamento principale di 90°±5°
TTV(μm)	≤30
Deformazione (μm)	≤30
Arco (μm)	≤30
Crepe	No, occhio nudo, luce forte
Contaminazione	No, occhio nudo, radiazioni
Codifica laser	Faccia N, parallela al bordo di posizionamento principale
Pacchetto	Scatola per wafer monolitica

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
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Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
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Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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Diametro: 25,4 ± 0,5 mm

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Dimensioni: φ50.8mm±0.1mm, DI (1-100), Al Face, individuante bordo 16.0± 1.0mm

Substrato: Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)

Tipo di conduzione: Semi-isolamento

Zona di esclusione del bordo: <2 mm

Wafer di nitruro di alluminio semiisolante AIN su superficie wafer zaffiro

Dimensioni: φ50.8mm±0.1mm, DI (1-100), Al Face, individuante bordo 16.0± 1.0mm

Substrato: Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)

Tipo di conduzione: Semi-isolamento

Zona di esclusione del bordo: <2 mm

I semi che isolano AIN Sapphire Wafer Sapphire Single o il doppio lato hanno lucidato

Dimensioni: φ50.8mm±0.1mm, DI (1-100), Al Face, individuante bordo 16.0± 1.0mm

Substrato: Zaffiro (laterali singoli o doppi lucidati)

Tipo di conduzione: Semi-isolamento

Nome di prodotto: Wafer del nitruro di alluminio

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo