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Dettagli:
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| Aspetto: | Bordo di posizionamento del nastro circolare | Nome di prodotto: | Wafer del nitruro di alluminio |
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| Diametro (mm): | 25.4±0.5 | Spessore (μm): | 400±50 |
| Crystal Form: | 2H | Polytype: | {0001}±0,5° |
| Evidenziare: | monocristallo di 25.4mm AlN,substrato del nitruro di alluminio 2H,monocristallo di 1inch AlN |
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grado del monocristallo 400±50μM S/P/R di 25.4±0.5mm 1inch AlN {0001} ±0.5°
Grado di monocristallo 400±50μm S/P/R di JDCD02-001-002 1inch AlN
Il nitruro di alluminio è un materiale altamente desiderabile nelle applicazioni specifiche dove l'alta conducibilità termica, l'isolamento elettrico e/o la forza meccanica è richiesta.
Il materiale è un buon isolante elettrico con la conducibilità termica eccellente. Le sue alte proprietà d'isolamento le operano una scelta eccellente per varie applicazioni. Un'ampia varietà di prodotti può essere fatta dal nitruro di alluminio.
Ciò è l'uso più comune per il nitruro di alluminio. È un materiale importante nell'industria aerospaziale. Tuttavia, ci sono alcune limitazioni connesse con. È instabile alle temperature elevate ed in alcuni ambienti.
| substrato di monocristallo del nitruro di alluminio 1inch | |||
| Crystal Specifications | Valore del parametro | ||
| Diametro (millimetri) | 25.4±0.5 | ||
| Spessore (μm) | 400±50 | ||
| Crystal Form | 2H | ||
| Polytype | {0001} ±0.5° | ||
| Lucidatura di superficie | Superficie di alluminio: lucidatura chimica (la lucidatura doppia può essere personalizzata) | ||
| Rugosità |
Fronte di Al: ≤0.5nm Fronte di N (posteriore): ≤1.2μm |
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| aspetto | Cinghia circolare che posiziona bordo | ||
| Qualità | Grado di S (eccellente) | Grado di P (Prouduction) | Grado della R (ricerca) |
| Mezzo width@ di altezza di HRXRD {0002} (minuto secondo) | ≤150 | ≤300 | ≤500 |
| Mezzo width@ di altezza di HRXRD {10-12} (minuto secondo) | ≤100 | ≤200 | ≤400 |
| assorbimento coefficient@265nm (cm-1) | ≤50 | ≤70 | ≤100 |
| Esclusione del bordo (millimetri) | 1 | 1 | 1 |
| Rientranze | / | / | / |
| Chip | / | / | ≤3 ≤1.0mm cumulativo |
| TUA | ≥90% | ||
| Orientamento di posizionamento principale del bordo | {10-10} ±5.0° | ||
| Orientamento di superficie di posizionamento secondaria |
Fronte di Al: Giri in senso orario in direzione del edge90°±5° di posizionamento principale Fronte di N: Giri in senso antiorario in direzione del edge90°±5° di posizionamento principale |
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| TTV (μm) | ≤30 | ||
| Filo di ordito (μm) | ≤30 | ||
| Arco (μm) | ≤30 | ||
| Crepe | No, occhio nudo, forte luce | ||
| Contaminazione | No, occhio nudo, radiazione | ||
| Codifica del laser | Il fronte di N, parallelizza al bordo di posizionamento principale | ||
| Pacchetto | Contenitore monolitico di wafer | ||
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
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