Dettagli:
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Nome di prodotto: | Singolo Crystal Substrate | Spessore: | 0.6~0.8mm |
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Orientamento: | (201) | FWHM: | <350arcsec> |
Superficie lucidata: | Singolo lato lucidato | Ra: | ≤0.3nm |
Evidenziare: | Wafer epitassiale Ga2O3 a 2 pollici,substrato a cristallo singolo a 4 pollici,wafer epitassiale a cristallo singolo |
Ra≤0.3nm Spessore substrato cristallo singolo Orientamento 0.6~0.8mm (-201)
10x10 mm2(-201) Ga indipendente drogato con Fe2O3substrato a cristallo singolo Tipo di prodotto lucidatura singola Spessore 0,6~0,8 mm FWHM<350 arcsec, Ra≤0,3 nm Dispositivi optoelettronici, strati isolanti di materiali semiconduttori e filtri UV
Il numero di pubblicazioni su Ga2O3ha accelerato negli ultimi anni, come è evidente dalla Figura 1, a causa dell'interesse per i dispositivi elettronici e fotonici con capacità oltre le tecnologie esistenti.C'è stato un sano equilibrio di indagini sperimentali e teoriche sulle proprietà del Ga2O3sistema
Substrato di nitruro di gallio--Livello del prodotto | ||
Dimensioni | 10*15 mm | 10*10 mm |
Spessore | 0,6~0,8 mm | |
Orientamento | (201) | |
Doping | Fe | SN |
Superficie lucida | Singolo lato lucidato | |
Resistività/Nd-Na | / | <9E18 |
FWHM | <350 secondi d'arco | |
RA | ≤0,3 nm | |
Pacchetto | Confezionato in camera bianca di classe 100, in atmosfera di azoto |
Chi siamo
Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.
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