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A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

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A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

Grande immagine :  A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

Dettagli:
Numero di modello: JDCD08-001-001
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento: T/T

A Plane Surface Orientation Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready

descrizione
Orientamento di superficie: Un-aereo (11-20) Materiale: ₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)
Spessore: 430 ±15μm R-aereo: R9
Diametro: 50,8 ±0.10 Bordo del wafer: R tipo
Evidenziare:

Wafer di zaffiro da 6 pollici

,

wafer di zaffiro da 3 pollici

,

silicio su wafer di zaffiro

A-Plane(11-20) Orientamento della superficie Sapphire Wafer Front Surface Quality Lucidato a specchio, EPI-Ready

JDCD08-001-001 Wafer di substrato in zaffiro diametro 50mm, spessore 430μm, orientamento cristallo C/M0.2, lunghezza OF (mm) 16 chip LED, materiale substrato

Circuiti integrati

Sono disponibili circuiti integrati silicio su zaffiro in cui si formano strati di biossido di silicio su substrati di zaffiro.Ciò garantisce che lo strato dielettrico sulla parte superiore sia in grado di condurre l'elettricità attraverso il circuito in modo efficiente.

 

Parametri

Specifica
Unità Bersaglio Tolleranza
Materiale Elevata purezza Al2O3(>99,995%)
Diametro mm 50.8 ±0,10
Spessore micron 430 ±15
Orientamento della superficie Piano C(0001)
-Off Angolo verso l'asse M grado 0,20 ±0,10
-Off Angolo verso l'asse A grado 0.00 ±0,10
Orientamento piatto A-aereo (11-20)
- Angolo di offset piatto grado 0.0 ±0,2
Lunghezza piatta mm 16.0 ±1
Piano R R9
Superficie frontale Rugosità (Ra) nm <0.3
Rugosità della superficie posteriore micron 0,8~1,2μm
Superficie frontale Qualità Lucidato a specchio, pronto per l'EPI
Bordo in ostia tipo R
Ampiezza dello smusso micron 80-160
Radiante angolo incluso tra bordo piatto e bordo arrotondato mm R=9
TTV micron ≤5
LTV(5x5mm) micron ≤1,5
Arco micron 0~-5
Ordito micron ≤10
Marchio laser   Come richiesto dal cliente

 

 

Chi siamo

Siamo specializzati nella lavorazione di una varietà di materiali in wafer, substrati e parti in vetro ottico personalizzate. Componenti ampiamente utilizzati in elettronica, ottica, optoelettronica e molti altri campi.Abbiamo anche lavorato a stretto contatto con molte università, istituti di ricerca e aziende nazionali e internazionali, fornendo prodotti e servizi personalizzati per i loro progetti di ricerca e sviluppo.La nostra visione è mantenere un buon rapporto di collaborazione con tutti i nostri clienti grazie alla nostra buona reputazione.

 

 

FAQ

D: sei una società commerciale o un produttore?
Siamo fabbrica.
D: Quanto dura il tempo di consegna?
Generalmente sono 3-5 giorni se la merce è disponibile.
oppure sono 7-10 giorni se la merce non è disponibile, è in base alla quantità.
D: Fornite campioni?è gratis o extra?
Sì, potremmo offrire il campione gratuitamente ma non pagare il costo del trasporto.
D: Quali sono i tuoi termini di pagamento?
Pagamento <=5000USD, 100% in anticipo.
Paymen >=5000USD, 80% T/T in anticipo, saldo prima della spedizione.

 

Dettagli di contatto
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)

Telefono: +8613372109561

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