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Wafer sic epitassiale

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Substrato SiC 350um 4H

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Sic tipo substrato di N

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wafer sic epitassiale 6inch

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La CINA Wafer sic epitassiale

4 pollici di uGaN sul nitruro di gallio di silicio non dopato sul Wafer Epitaxial di silicio

Dimensione:4inch

Bicristalline002:< 550 secondi di arco

Bicristalline102:< 550 secondi di arco
4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio

Quantità di ordine minimo:5

Prezzo:1000

Imballaggi particolari:Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di
4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio

Quantità di ordine minimo:5

Prezzo:1000

Imballaggi particolari:Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di

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GaN Epitaxial Wafer: il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI; Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf; Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale: Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um; Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um; CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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