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Wafer sic epitassiale

Migliori prodotti

Substrato SiC 350um 4H

Sic tipo substrato di N

wafer sic epitassiale 6inch

La CINA Wafer sic epitassiale

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Nome di prodotto:Wafer sic epitassiale

Crystal Form:4h

Finitura superficia:C-fronte: Polacco ottico, Si-fronte: CMP
Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Nome di prodotto:Wafer sic epitassiale

Crystal Form:4h

Diametro:100,0 mm+0,0/-0,5 mm
Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale

Dimensioni:2 pollici

Resistenza ((300K):< 350 Ω/□

Concentrazione di elettroni:> 1800 cm2/v
2 pollici di GaN su wafer Epi HEMT di silicio per dispositivo di alimentazione

Dimensioni:2 pollici

Resistenza ((300K):< 350 Ω/□

Concentrazione di elettroni:> 1800 cm2/v
6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si

Dimensioni:6 pollici

Resistenza ((300K):< 350 Ω/□

Concentrazione di elettroni:> 9,0E12 cm-2
LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale

Dimensione:2 - 4 pollici

Quantità di ordine minimo:5

Imballaggi particolari:Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di
2 pollici di GaN sul silicio verde LED Epi wafer Gallio nitruro sul silicio

Dimensione:2 pollici

Quantità di ordine minimo:5

Imballaggi particolari:Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di
2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio

Dimensione:2 pollici

Quantità di ordine minimo:5

Imballaggi particolari:Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di
GaN laser viola sul silicio 2 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Dimensioni:2 pollici

IQE:non conosciuto

perdita interna:sconosciuto
Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si

Dimensioni:2 pollici

Resistenza ((300K):< 350 Ω/□

Concentrazione di elettroni:> 9,0E12 cm-2
4 pollici di uGaN sul nitruro di gallio di silicio non dopato sul Wafer Epitaxial di silicio

Dimensione:4inch

Bicristalline002:< 550 secondi di arco

Bicristalline102:< 550 secondi di arco
4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio

Quantità di ordine minimo:5

Prezzo:1000

Imballaggi particolari:Imballato nell'ambiente della stanza pulita della classe A 100, in contenitore 25PCS, nell'ambito di

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Wafer sic epitassiale

Substrato SiC 350um 4H

Sic tipo substrato di N

wafer sic epitassiale 6inch

La CINA Wafer sic epitassiale

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale

2 pollici di GaN su wafer Epi HEMT di silicio per dispositivo di alimentazione

6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si

LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale

2 pollici di GaN sul silicio verde LED Epi wafer Gallio nitruro sul silicio

2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio

GaN laser viola sul silicio 2 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si

4 pollici di uGaN sul nitruro di gallio di silicio non dopato sul Wafer Epitaxial di silicio

4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo