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ga2o3 substrate single crystal produzione online

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comprare 0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing in linea fabbricante

0.6mm 0.8mm Ga2O3 singolo Crystal Substrate Single Polishing
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2024-10-29 11:49:58
comprare 10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante in linea fabbricante

10x15mm2 UID drogato singola lucidatura wafer Ga2O3 autoportante
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2022-09-27 16:57:32
comprare wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm in linea fabbricante

wafer Ga2O3 10x15mm singolo Crystal Substrate di 10x10mm
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2022-09-27 16:57:06
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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