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ga2o3 substrate single crystal produzione online

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Acquistare Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm in linea produttore

Singolo lato lucido substrato Ga2O3 monocristallo spessore 0,6 mm 0,8 mm
Contatto

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... Leggi di più
2023-02-17 14:30:35
Acquistare Wafer singolo Crystal Substrate Thickness di FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm - 0.8mm in linea produttore

Wafer singolo Crystal Substrate Thickness di FWHM<350arcsec Ga2O3 0.6mm - 0.8mm
Contatto

FWHM Leggi di più
2023-02-17 14:17:37
Acquistare Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore in linea produttore

Singola verniciatura di UID di Crystal Gallium Oxide Substrate a semiconduttore
Contatto

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Leggi di più
2022-10-09 10:30:43
Acquistare Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante in linea produttore

Substrato a cristallo singolo wafer drogato Ga2O3 Fe 10x10mm2 autoportante
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leggi di più
2022-10-09 10:34:19
Acquistare JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola in linea produttore

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe dopato in posizione libera Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Polizione singola
Contatto

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3 in linea produttore

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-ha verniciato la singola Crystal Substrate Product Grade singola lucidatura indipendente di Ga2O3
Contatto

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura in linea produttore

JDCD04-001-007 10x10mm2(010) Sn-Doped Free-Standing Ga2O3 Substrato a cristallo singolo Grado del prodotto Singola lucidatura
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10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers ... Leggi di più
2025-04-27 11:43:51
Acquistare Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate in linea produttore

Singolo Ga2O3 wafer lucidato laterale singolo Crystal Substrate
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10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
Acquistare Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici in linea produttore

Wafer epitassiale a cristallo singolo Ga2O3 Ra 0,3 nm 2 pollici 4 pollici
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Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec... Leggi di più
2023-02-17 14:34:04
Acquistare Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2 in linea produttore

Sn Doping Ga2O3 Wafer Singolo substrato di cristallo 10x10mm2
Contatto

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Leggi di più
2024-10-29 11:49:58
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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