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heat sink cvd diamond substrates produzione online

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3 tenore di N di CVD Diamond Substrates di X 3mm2 < 100ppb per il dissipatore di calore
Contatto

2022-10-09 09:54:10

3.515g/cm3 CVD Diamond substrata la trasmissione della luce 225nm all'infrarosso lontano
Contatto

2022-09-27 17:12:16

Wm K 1000 ~ CVD 2000 Diamond Substrates Thermal Conductivity 300K
Contatto

2022-09-27 17:13:12

Substrati diamantati CVD di grado elettronico Costante dielettrica 5.5
Contatto

2022-09-27 17:12:44

70 al grado di CVD Diamond Substrates Single Crystal Electronic di 120 PGa
Contatto

2022-09-27 17:13:37

Contenuto N
Contatto

2022-09-27 17:14:46

Modulo di Young 1050PGa singolo Crystal Substrate Electronic Grade
Contatto

2022-09-27 17:14:25

grado elettronico singolo Crystal Diamond 225nm di 3x3mm2 0.3mm ad infrarosso lontano
Contatto

2022-09-27 17:12:26

Contenuto di wafer di diamante a cristallo singolo di grado elettronico da 225 nm a infrarossi lontani
Contatto

2022-09-27 17:13:55

JDCD05-001-004 Diamante a cristallo singolo di grado elettronico 3 * 3 mm2 * 0,5 mm, contenuto N
Contatto

2022-10-09 09:54:38

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GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo