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semiconductor gallium arsenide wafer produzione online

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comprare Composto a semiconduttore 2 pollici GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS in linea fabbricante

Composto a semiconduttore 2 pollici GaAs Epi Wafer GaAs Si Wafer UKAS
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2022-09-27 17:18:19
comprare substrati Undoped VGF S-C-N del wafer 2inch GaAs di si di 18mm GaAs in linea fabbricante

substrati Undoped VGF S-C-N del wafer 2inch GaAs di si di 18mm GaAs
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2022-10-09 09:53:40
comprare Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED in linea fabbricante

Wafer epitaxiale di tipo GaN da 2 ′′ a 6 pollici su zaffiro per dispositivo PIN laser LED
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2024-12-06 17:48:43
comprare Wafer epitaxial GaN essenziale per la produzione di chip ad alta tensione ad alta frequenza in linea fabbricante

Wafer epitaxial GaN essenziale per la produzione di chip ad alta tensione ad alta frequenza
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2024-12-06 17:47:04
comprare Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere in linea fabbricante

Livello P a 2 pollici 260μm del wafer a semiconduttore per i dispositivi di a microonde dei dispositivi di potere
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2022-10-24 10:25:55
comprare Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H in linea fabbricante

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm Forma di cristallo 4H
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2022-10-24 10:20:57
comprare Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm in linea fabbricante

Wafer epitassiale SiC da 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
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2022-10-24 10:23:40
comprare Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um in linea fabbricante

Substrato SiC grado 4H wafer P MOS tipo N da 6 pollici 350,0 ± 25,0um
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2022-10-24 10:21:10
comprare JDCD10-001-002 Sottostrati dopati con GaAs (100) di 2 pollici in linea fabbricante

JDCD10-001-002 Sottostrati dopati con GaAs (100) di 2 pollici
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2025-04-27 11:43:51
comprare Sistema di ricottura RTP-SA-8 in linea fabbricante

Sistema di ricottura RTP-SA-8
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2024-12-06 17:48:00
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circa

GaN Epitaxial Wafer

il Fe del fronte di 2inch GaN Epitaxial Wafer C ha verniciato il tipo isolato di SI

Il Fe ha verniciato GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Dispositivi di cm rf

Substrati SI-GaN autoportanti da 2 pollici

Wafer sic epitassiale

Wafer epitassiale SiC smussato 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 350,0 um ± 25,0 um

Bordo del wafer epitassiale del wafer SiC della forma di cristallo 4H che smussa 350.0um ± 25.0um

CMP polacco ottico del Si-fronte del C-fronte sic epitassiale del wafer del monocristallo

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