Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED

Name: Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD08-001-002
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

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Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED

Grande immagine : Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED

Dettagli:

Numero di modello:	JDCD08-001-002

Termini di pagamento e spedizione:

Imballaggi particolari:	Confezionamento sottovuoto in ambiente clean room classe 10000, in cassette da 25pz o contenitori si
Termini di pagamento:	T/T

Contatto

Sapphire Substrate Wafer Thk piana 440um della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED

descrizione

Orientamento di superficie:	Un-aereo (11-20)	Nome di prodotto:	50mm Sapphire Substrate Wafer
Materiale:	₃ del ₂ O di Al di elevata purezza (>99.995%)	Spessore:	430±10μm
R-aereo:	R9	Diametro:	50,8 ±0.10
Evidenziare:	Sapphire Substrate 440um , zaffiro 50mm di monocristallo , Sapphire Substrate piana

50mm Sapphire Substrate Wafer Thk 430μm della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED

JDCD08-001-001 wafer del substrato dello zaffiro del diametro 50mm, Thk 430μm, orientamento di cristallo C/M0.2, della lunghezza (millimetro) un chip di 16 LED, materiale del substrato

Il materiale si sviluppa ed orientato ed i substrati sono fabbricati e lucidati ad una superficie Epi-pronta libera di danno estremamente regolare su una o ad entrambi i lati del wafer. Vari orientamenti del wafer e dimensioni fino a 6" diametro sono disponibili.

I substrati dello zaffiro dell'Un-aereo - sono usati solitamente per le applicazioni microelettroniche ibride che richiedono una costante di dielettrico uniforme ed altamente che isolano le caratteristiche.

Substrati dell'C-aereo - tenda ad essere usato per i composti del ll-Vl e del lll-V, quale GaN, per il LED luminoso ed i diodi laser blu e verdi.

Substrati dell'R-aereo - questi sono preferiti per il deposito etero-epitassiale di silicio utilizzato nelle applicazioni microelettroniche di IC.

Parametri	Specificazione
Parametri	Unità	Obiettivo	Tolleranza
Materiale	Elevata purezza Al2O3 (>99.995%)
Diametro	millimetro	50,8	±0.10
Spessore	μm	430	±10
Orientamento di superficie	Un-aereo (11-20)
- Fuori dall'angolo verso l'M.-asse	grado	0,00	±0.10
- Fuori dall'angolo verso l'Un-asse	grado	0,00	±0.10
Orientamento piano	C-aereo (0001)
- Angolo di derivazione piano	grado	0,0	±0.2
Lunghezza piana	millimetro	16,0	±1
R-aereo	R9
Rugosità di superficie anteriore (Ra)	nanometro	<0.3
Rugosità di superficie posteriore	μm	0.9~1.2μm
Qualità di superficie anteriore	Lo specchio ha lucidato, EPI-pronto
Bordo del wafer	R tipo
Ampiezza di smusso	μm	80-160
Radiante incluso di angolo fra il bordo piano ed il bordo rotondo	millimetro	R=9
TTV	μm	≤5
LTV (5x5mm)	μm	≤1.5
Arco	μm	0~-5
Filo di ordito	μm	≤10
Segno del laser		Come cliente richiesto

Circa noi

Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.

FAQ

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Telefono: +8613372109561

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