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Dettagli:
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| Nome di prodotto: | Wafer sic epitassiale | Diametro: | 150.0mm +0mm/-0.2mm |
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| Orientamento di superficie: | Fuori asse: ° di 4°toward <11-20>±0.5 | Lunghezza piana primaria: | ± 1.5mm di 47.5mm |
| Lunghezza piana secondaria: | Nessun piano secondario | Orientamento piano primario: | To<11-20>±1° parallelo |
| Misorientation ortogonale: | ±5.0° | Esclusione del bordo: | 3mm |
| Evidenziare: | wafer sic epitassiale 4H,Sic wafer 49mm,Grado sic epitassiale del P-MOS del wafer |
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JDCD03-001-003
Panoramica
Sic un wafer è un materiale a semiconduttore che ha proprietà elettriche e termiche eccellenti. È un semiconduttore ad alto rendimento che è ideale per un'ampia varietà di applicazioni. Oltre alla sua alta resistenza termica, inoltre caratterizza un alto livello stesso di durezza.
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Proprietà |
Grado P-MOS | Grado di P-SBD | Grado di D |
| Crystal Form | 4H | ||
| Polytype | Nessuno hanno permesso | Area≤5% | |
| (MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| Piatti della sfortuna | Nessuno hanno permesso | Area≤5% | |
| Polycrystal esagonale | Nessuno hanno permesso | ||
| Inclusioni a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A |
| Resistività | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm |
| (EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A |
| (TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A |
| (BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A |
| (DST) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A |
| Errore di impilamento | Area di ≤0.5% | Area di ≤1% | N/A |
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Contaminazione da metalli di superficie |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, mn) ≤1E11 cm-2 |
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| Diametro | 150,0 millimetri +0mm/-0.2mm | ||
| Orientamento di superficie | Fuori asse: ° <11-20>di 4°toward ±0.5 | ||
| Lunghezza piana primaria | 47,5 millimetri di ± 1,5 millimetri | ||
| Lunghezza piana secondaria | Nessun piano secondario | ||
| Orientamento piano primario | To±1° parallelo<11-20> | ||
| Orientamento piano secondario | N/A | ||
| Misorientation ortogonale | ±5.0° | ||
| Finitura superficia | C-fronte: Polacco ottico, Si-fronte: CMP | ||
| Bordo del wafer | Smussatura | ||
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Rugosità di superficie (10μm×10μm) |
Fronte Ra≤0.20 nanometro di si; Fronte Ra≤0.50 nanometro di C | ||
| Spessore a | μm 350.0μm± 25,0 | ||
| LTV (10mm×10mm) a | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARCO) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Filo di ordito) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Chip/rientranze | Nessuno hanno permesso la larghezza e la profondità di ≥0.5mm | Larghezza e profondità di Qty.2 ≤1.0 millimetro | |
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Graffi a (Fronte di si, CS8520) |
≤5 e diametro cumulativo di Length≤0.5×Wafer |
≤5 e Length≤1.5×Wafer cumulativo Diametro |
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| TUA (2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N/A |
| Crepe | Nessuno hanno permesso | ||
| Contaminazione | Nessuno hanno permesso | ||
| Proprietà | Grado P-MOS | Grado di P-SBD | Grado di D |
| Esclusione del bordo | 3mm | ||
Nota: l'esclusione del bordo di 3mm è usata per gli oggetti segnati con il A.
Circa noi
Ci specializziamo nel trasformare vari materiali nei wafer, i substrati e parts.components di vetro ottico su misura ampiamente usati nell'elettronica, nell'ottica, nell'opto elettronica ed in molti altri campi. Inoltre stiamo lavorando molto attentamente con molti domestici e le università, i centri di ricerca e le società d'oltremare, forniscono i prodotti su misura ed i servizi per i loro progetti di R & S. È la nostra visione a mantenere una buona relazione della cooperazione con nostri tutti i clienti dalle nostre buone reputazioni.
FAQ
Q: È voi società per azioni o il produttore?
Siamo fabbrica.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?
È generalmente dei 3-5 giorni se le merci sono in azione.
o è dei 7-10 giorni se le merci non sono in azione, è secondo la quantità.
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?
Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?
Pagamento <>
>=5000USD, 80% T/T di pagamento in anticipo, equilibrio prima della spedizione.
Persona di contatto: Xiwen Bai (Ciel)
Telefono: +8613372109561
